规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(292)
分立半导体产品
(292)
筛选品牌
Diodes Incorporated (43)
Infineon Technologies (14)
Micro Commercial Co (5)
Nexperia USA Inc. (36)
NXP USA Inc. (11)
Fairchild/ON Semiconductor (12)
ON Semiconductor (38)
Panasonic Electronic Components (50)
Rohm Semiconductor (48)
Toshiba Semiconductor and Storage (35)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5232DW1T1
仓库库存编号:
MUN5232DW1T1-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
含铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
型号:
MUN5232T1
仓库库存编号:
MUN5232T1-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
含铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5332DW1T1
仓库库存编号:
MUN5332DW1T1-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
含铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5332DW1T1G
仓库库存编号:
MUN5332DW1T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTA114WKA-7-F
仓库库存编号:
DDTA114WKA-7-F-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTA143EKA-7-F
仓库库存编号:
DDTA143EKA-7-F-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTC114WKA-7-F
仓库库存编号:
DDTC114WKA-7-F-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTC143EKA-7-F
仓库库存编号:
DDTC143EKA-7-F-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
型号:
UNR51ALG0L
仓库库存编号:
UNR51ALG0LCT-ND
别名:UNR51ALG0LCT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
型号:
UNR52ALG0L
仓库库存编号:
UNR52ALG0LCT-ND
别名:UNR52ALG0LCT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
型号:
UNR91ALG0L
仓库库存编号:
UNR91ALG0LCT-ND
别名:UNR91ALG0LCT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
型号:
UNR92ALG0L
仓库库存编号:
UNR92ALG0LCT-ND
别名:UNR92ALG0LCT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
型号:
UNR911LG0L
仓库库存编号:
UNR911LG0LCT-ND
别名:UNR911LG0LCT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
型号:
UNR921KG0L
仓库库存编号:
UNR921KG0LCT-ND
别名:UNR921KG0LCT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
型号:
PBLS2002S,115
仓库库存编号:
568-7229-1-ND
别名:568-7229-1
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666
型号:
PBLS4002V,115
仓库库存编号:
568-7237-1-ND
别名:568-7237-1
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1117(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1117(T5LFT)CT-ND
别名:RN1117(T5LFT)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1961FE(TE85LF)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2961FE(TE85LF)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2901(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2901(T5LFT)CT-ND
别名:RN2901(T5LFT)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4901(T5LFT)CT-ND
别名:RN4901(T5LFT)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN1101CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1101CT(TPL3)CT-ND
别名:RN1101CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1101ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1101ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1101ACT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2101CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2101CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2101CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2101ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2101ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2101ACT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k,
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号