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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
  
  型号：UNR921TG0L
  仓库库存编号：UNR921TG0LCT-ND
  别名：UNR921TG0LCT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
  
  型号：UP01214G0L
  仓库库存编号：UP01214G0LCT-ND
  别名：UP01214G0LCT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3
  
  型号：UP0411MG0L
  仓库库存编号：UP0411MG0LCT-ND
  别名：UP0411MG0LCT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
  
  型号：DTC143ZKAT246
  仓库库存编号：DTC143ZKAT246-ND
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  
  型号：RN1106MFV(TL3,T)
  仓库库存编号：RN1106MFV(TL3T)CT-ND
  别名：RN1106MFV(TL3T)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1906(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1906(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1906(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1906FE(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1906FE(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1906FE(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1967FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1967FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1967FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1968FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1968FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1968FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2904FE(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2904FE(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2904FE(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2964FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2964FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2964FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2965FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2965FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2965FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2966FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2966FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2966FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2967FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2967FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2967FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2968FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2968FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2968FE(TE85LF)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2904(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2904(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2904(T5LFT)CT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2906(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2906(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2906(T5LFT)CT
  
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  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2907(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2907(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2907(T5LFT)CT
  
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  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4904(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4904(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4904(T5LFT)CT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4907(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4907(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4907(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4908(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4908(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4908(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN49A1(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN49A1(T5LFT)CT-ND
  别名：RN49A1(T5LFT)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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  TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN1104CT(TPL3)
  仓库库存编号：RN1104CT(TPL3)CT-ND
  别名：RN1104CT(TPL3)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN1105CT(TPL3)
  仓库库存编号：RN1105CT(TPL3)CT-ND
  别名：RN1105CT(TPL3)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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  TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN1106CT(TPL3)
  仓库库存编号：RN1106CT(TPL3)CT-ND
  别名：RN1106CT(TPL3)CT
  
  规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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