规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTA123JE,115
仓库库存编号:
PDTA123JE,115-ND
别名:934051580115
PDTA123JE T/R
PDTA123JE T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA123JK,115
仓库库存编号:
PDTA123JK,115-ND
别名:934057547115
PDTA123JK T/R
PDTA123JK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA124XK,115
仓库库存编号:
PDTA124XK,115-ND
别名:934057548115
PDTA124XK T/R
PDTA124XK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA143ZK,115
仓库库存编号:
PDTA143ZK,115-ND
别名:934054805115
PDTA143ZK T/R
PDTA143ZK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA144EK,135
仓库库存编号:
PDTA144EK,135-ND
别名:934036780135
PDTA144EK /T3
PDTA144EK /T3-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA144EK,115
仓库库存编号:
PDTA144EK,115-ND
别名:934036780115
PDTA144EK T/R
PDTA144EK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA144ES,126
仓库库存编号:
PDTA144ES,126-ND
别名:934047350126
PDTA144ES AMO
PDTA144ES AMO-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC114YK,115
仓库库存编号:
PDTC114YK,115-ND
别名:934057550115
PDTC114YK T/R
PDTC114YK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC123JK,115
仓库库存编号:
PDTC123JK,115-ND
别名:934057552115
PDTC123JK T/R
PDTC123JK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC124XE,115
仓库库存编号:
PDTC124XE,115-ND
别名:934051610115
PDTC124XE T/R
PDTC124XE T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC124XK,115
仓库库存编号:
PDTC124XK,115-ND
别名:934057554115
PDTC124XK T/R
PDTC124XK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC143ZK,115
仓库库存编号:
PDTC143ZK,115-ND
别名:934054806115
PDTC143ZK T/R
PDTC143ZK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC144EK,115
仓库库存编号:
PDTC144EK,115-ND
别名:934036820115
PDTC144EK T/R
PDTC144EK T/R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC144ES,126
仓库库存编号:
PDTC144ES,126-ND
别名:934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR08PNB6327XT
仓库库存编号:
BCR08PNB6327XTTR-ND
别名:BCR 08PN B6327
BCR 08PN B6327-ND
SP000010726
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR 108 B6327
仓库库存编号:
BCR 108 B6327-ND
别名:BCR108B6327XT
SP000056348
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 108F E6327
仓库库存编号:
BCR 108F E6327-ND
别名:BCR108FE6327XT
SP000013046
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 108L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 108L3 E6327-ND
别名:BCR108L3E6327XT
SP000014758
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR108SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR108SE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 108S E6327
BCR 108S E6327-ND
BCR108SE6327XT
SP000010743
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR108SE6433HTMA1
仓库库存编号:
BCR108SE6433HTMA1TR-ND
别名:BCR 108S E6433
BCR 108S E6433-ND
BCR108SE6433XT
SP000010740
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号:
BCR 108T E6327
仓库库存编号:
BCR 108T E6327-ND
别名:BCR108TE6327XT
SP000012799
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR108WE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR108WE6327BTSA1TR-ND
别名:BCR 108W E6327
BCR 108W E6327-ND
BCR108WE6327XT
BCR169WE6327XT
SP000010746
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号:
BCR 116F E6327
仓库库存编号:
BCR 116F E6327-ND
别名:BCR116FE6327XT
SP000013047
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BCR 116L3 E6327
仓库库存编号:
BCR 116L3 E6327-ND
别名:BCR116L3E6327XT
SP000014853
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR116SE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名:BCR 116S E6327
BCR 116S E6327-ND
BCR116SE6327XT
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