规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1348)
分立半导体产品
(1348)
筛选品牌
Diodes Incorporated (148)
Infineon Technologies (110)
Micro Commercial Co (24)
Nexperia USA Inc. (126)
NXP USA Inc. (41)
Fairchild/ON Semiconductor (70)
ON Semiconductor (244)
Panasonic Electronic Components (262)
Rohm Semiconductor (173)
Toshiba Semiconductor and Storage (150)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 116T E6327
仓库库存编号：
BCR 116T E6327-ND
别名：BCR116TE6327XT
SP000014775
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR116WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR116WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 116W E6327
BCR 116W E6327-ND
BCR116WE6327
BCR116WE6327XT
SP000012264
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 135 B6327
仓库库存编号：
BCR 135 B6327-ND
别名：BCR135B6327XT
SP000095915
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 135F E6327
仓库库存编号：
BCR 135F E6327-ND
别名：BCR135FE6327XT
SP000013048
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 135L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 135L3 E6327-ND
别名：BCR135L3E6327XT
SP000014856
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR135SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR135SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 135S E6327
BCR 135S E6327-ND
BCR135SE6327XT
SP000012335
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 135T E6327
仓库库存编号：
BCR 135T E6327-ND
别名：BCR135TE6327XT
SP000012802
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR135WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR135WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 135W E6327
BCR 135W E6327-ND
BCR135WE6327
BCR135WE6327XT
SP000010768
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR142B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR142B6327HTLA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 142 B6327
BCR 142 B6327-ND
BCR142B6327HTSA1
BCR142B6327XT
SP000010774
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 142F E6327
仓库库存编号：
BCR 142F E6327-ND
别名：BCR142FE6327XT
SP000014063
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 142L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 142L3 E6327-ND
别名：BCR142L3E6327XT
SP000014859
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 142T E6327
仓库库存编号：
BCR 142T E6327-ND
别名：BCR142TE6327XT
SP000012804
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR142WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR142WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 142W E6327
BCR 142W E6327-ND
BCR142WE6327
BCR142WE6327XT
SP000012269
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 148 B6327
仓库库存编号：
BCR 148 B6327-ND
别名：BCR148B6327XT
SP000056351
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 148F B6327
仓库库存编号：
BCR 148F B6327-ND
别名：BCR148FB6327XT
SP000013051
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 148F E6327
仓库库存编号：
BCR 148F E6327-ND
别名：BCR148FE6327XT
SP000013050
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 148L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 148L3 E6327-ND
别名：BCR148L3E6327XT
SP000014861
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR148SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 148S E6327
BCR 148S E6327-ND
BCR148SE6327XT
SP000012338
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR148SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 148S E6433
BCR 148S E6433-ND
BCR148SE6433XT
SP000012339
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 148T E6327
仓库库存编号：
BCR 148T E6327-ND
别名：BCR148TE6327XT
SP000012805
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR148WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR148WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 148W E6327
BCR 148W E6327-ND
BCR148WE6327
BCR148WE6327XT
SP000010783
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 158 B6327
仓库库存编号：
BCR 158 B6327-ND
别名：BCR158B6327XT
SP000056353
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 158F E6327
仓库库存编号：
BCR 158F E6327-ND
别名：BCR158FE6327XT
SP000013053
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 158L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 158L3 E6327-ND
别名：BCR158L3E6327XT
SP000014867
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 158T E6327
仓库库存编号：
BCR 158T E6327-ND
别名：BCR158TE6327XT
SP000012806
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
搜索
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
