规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR158WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR158WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 158W E6327
BCR 158W E6327-ND
BCR158WE6327
BCR158WE6327XT
SP000012761
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR166B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR166B6327HTLA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 166 B6327
BCR 166 B6327-ND
BCR166B6327HTSA1
BCR166B6327XT
SP000056344
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 166F E6327
仓库库存编号：
BCR 166F E6327-ND
别名：BCR166FE6327XT
SP000014446
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 166L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 166L3 E6327-ND
别名：BCR166L3E6327XT
SP000014870
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 166T E6327
仓库库存编号：
BCR 166T E6327-ND
别名：BCR166TE6327XT
SP000014766
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR166WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR166WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 166W E6327
BCR 166W E6327-ND
BCR166WE6327
BCR166WE6327XT
SP000012875
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 185F E6327
仓库库存编号：
BCR 185F E6327-ND
别名：BCR185FE6327XT
SP000013054
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 185L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 185L3 E6327-ND
别名：BCR185L3E6327XT
SP000014873
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR185SB6327XT
仓库库存编号：
BCR185SB6327XTTR-NDTR-ND
别名：BCR 185S B6327
BCR 185S B6327-ND
SP000056342
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR185SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR185SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 185S E6327
BCR 185S E6327-ND
BCR185SE6327XT
SP000012273
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 185T E6327
仓库库存编号：
BCR 185T E6327-ND
别名：BCR185TE6327XT
SP000014106
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR185WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR185WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 185W E6327
BCR 185W E6327-ND
BCR185WE6327
BCR185WE6327XT
SP000010808
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 192 B6327
仓库库存编号：
BCR 192 B6327-ND
别名：BCR192B6327XT
SP000056349
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 192F E6327
仓库库存编号：
BCR 192F E6327-ND
别名：BCR192FE6327XT
SP000014066
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 192L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 192L3 E6327-ND
别名：BCR192L3E6327XT
SP000014876
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 192T E6327
仓库库存编号：
BCR 192T E6327-ND
别名：BCR192TE6327XT
SP000012808
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR192WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR192WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 192W E6327
BCR 192W E6327-ND
BCR192WE6327
BCR192WE6327XT
SP000010816
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR198B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR198B6327HTLA1TR-ND
别名：BCR 198 B6327
BCR 198 B6327-ND
BCR198B6327HTSA1
BCR198B6327XT
SP000056350
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 198F E6327
仓库库存编号：
BCR 198F E6327-ND
别名：BCR198FE6327XT
SP000013055
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 198L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 198L3 E6327-ND
别名：BCR198L3E6327XT
SP000014878
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR198SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR198SE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 198S E6327
BCR 198S E6327-ND
BCR198SE6327XT
SP000010822
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 198T E6327
仓库库存编号：
BCR 198T E6327-ND
别名：BCR198TE6327XT
SP000013045
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR198WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR198WE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 198W E6327
BCR 198W E6327-ND
BCR198WE6327
BCR198WE6327XT
SP000010824
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR35PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR35PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 35PN E6327
BCR 35PN E6327-ND
BCR35PNE6327XT
SP000010831
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR35PNE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR35PNE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 35PN E6433
BCR 35PN E6433-ND
BCR35PNE6433XT
SP000010832
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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