规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR48PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 48PN E6327
BCR 48PN E6327-ND
BCR48PNE6327XT
SP000010836
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNE6433BTMA1
仓库库存编号：
BCR48PNE6433BTMA1TR-ND
别名：BCR 48PN E6433
BCR 48PN E6433-ND
BCR48PNE6433XT
SP000010837
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNE6327BTSA1CT-ND
别名：BCR08PNE6327
BCR08PNE6327INCT
BCR08PNE6327INCT-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114YS,126
仓库库存编号：
PDTA114YS,126-ND
别名：934057576126
PDTA114YS AMO
PDTA114YS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA123JS,126
仓库库存编号：
PDTA123JS,126-ND
别名：934057560126
PDTA123JS AMO
PDTA123JS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124XS,126
仓库库存编号：
PDTA124XS,126-ND
别名：934057561126
PDTA124XS AMO
PDTA124XS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143ZS,126
仓库库存编号：
PDTA143ZS,126-ND
别名：934057564126
PDTA143ZS AMO
PDTA143ZS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114YS,126
仓库库存编号：
PDTC114YS,126-ND
别名：934057566126
PDTC114YS AMO
PDTC114YS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123JS,126
仓库库存编号：
PDTC123JS,126-ND
别名：934057569126
PDTC123JS AMO
PDTC123JS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124XS,126
仓库库存编号：
PDTC124XS,126-ND
别名：934057571126
PDTC124XS AMO
PDTC124XS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ZS,126
仓库库存编号：
PDTC143ZS,126-ND
别名：934057574126
PDTC143ZS AMO
PDTC143ZS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA143ZK,135
仓库库存编号：
PDTA143ZK,135-ND
别名：934054805135
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR108SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 108S H6433
BCR 108S H6433-ND
SP000750778
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S E6727
仓库库存编号：
BCR 116S E6727-ND
别名：SP000679396
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 116S H6727
仓库库存编号：
BCR 116S H6727-ND
别名：SP000752048
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 148S H6827
仓库库存编号：
BCR 148S H6827-ND
别名：SP000756266
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR 148W H6433
仓库库存编号：
BCR 148W H6433-ND
别名：SP000756242
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR198SH6827XTSA1
仓库库存编号：
BCR198SH6827XTSA1-ND
别名：BCR 198S H6827
BCR 198S H6827-ND
SP000757908
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 48PN H6727
仓库库存编号：
BCR 48PN H6727-ND
别名：SP000784046
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR135E6359HTMA1-ND
别名：SP000010766
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR148E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR148E6393HTSA1-ND
别名：SP000010779
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR192E6785HTSA1
仓库库存编号：
BCR192E6785HTSA1-ND
别名：SP000010815
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR198E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR198E6393HTSA1-ND
别名：SP000010818
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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