规格：功率 - 最大值 250mW,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1026X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1026X-T1-E3CT-ND
别名：SI1026X-T1-E3CT
SI1026XT1E3
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1029X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1029X-T1-E3CT-ND
别名：SI1029X-T1-E3CT
SI1029XT1E3
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1033X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1033X-T1-E3CT-ND
别名：SI1033X-T1-E3CT
SI1033XT1E3
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1034X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1034X-T1-E3CT-ND
别名：SI1034X-T1-E3CT
SI1034XT1E3
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1035X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1035X-T1-E3CT-ND
别名：SI1035X-T1-E3CT
SI1035XT1E3
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号：
NTZD3156CT1G
仓库库存编号：
NTZD3156CT1G-ND
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号：
NTZD3156CT2G
仓库库存编号：
NTZD3156CT2G-ND
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号：
NTZD3156CT5G
仓库库存编号：
NTZD3156CT5G-ND
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD223P
仓库库存编号：
BSD223PINCT-ND
别名：BSD223PINCT
BSD223PXTINCT
BSD223PXTINCT-ND
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC846PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BC846PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BC 846PN E6327
BC 846PN E6327-ND
BC846PNE6327XT
SP000010518
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC846SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BC846SE6327BTSA1TR-ND
别名：BC 846S E6327
BC 846S E6327-ND
BC846SE6327XT
SP000010521
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC846SE6433BTMA1
仓库库存编号：
BC846SE6433BTMA1TR-ND
别名：BC 846S E6433
BC 846S E6433-ND
BC846SE6433XT
SP000010522
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC847PNB6327XT
仓库库存编号：
BC847PNB6327XTTR-ND
别名：BC 847PN B6327
BC 847PN B6327-ND
SP000056358
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC856SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BC856SE6327BTSA1TR-ND
别名：BC 856S E6327
BC 856S E6327-ND
BC856SE6327XT
SP000012942
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC 856S E6433
仓库库存编号：
BC 856S E6433-ND
别名：BC856SE6433XT
SP000012941
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC857SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BC857SE6327BTSA1TR-ND
别名：BC 857S E6327
BC 857S E6327-ND
BC857SE6327XT
SP000010666
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC857SE6433HTMA1
仓库库存编号：
BC857SE6433HTMA1TR-ND
别名：BC 857S E6433
BC 857S E6433-ND
BC857SE6433XT
SP000010667
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCM846SE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCM846SE6327HTSA1TR-ND
别名：BCM 846S E6327
BCM 846S E6327-ND
BCM846SE6327XT
SP000013958
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCM856SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCM856SE6327BTSA1TR-ND
别名：BCM 856S E6327
BCM 856S E6327-ND
BCM856SE6327XT
SP000014127
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNB6327XT
仓库库存编号：
BCR08PNB6327XTTR-ND
别名：BCR 08PN B6327
BCR 08PN B6327-ND
SP000010726
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR108SE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 108S E6327
BCR 108S E6327-ND
BCR108SE6327XT
SP000010743
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR108SE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 108S E6433
BCR 108S E6433-ND
BCR108SE6433XT
SP000010740
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNB6327XT
仓库库存编号：
BCR10PNB6327XTTR-ND
别名：BCR 10PN B6327
BCR 10PN B6327-ND
SP000010731
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR10PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 10PN E6327
BCR 10PN E6327-ND
BCR10PNE6327XT
SP000010732
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR116SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 116S E6327
BCR 116S E6327-ND
BCR116SE6327XT
SP000012266
规格：功率 - 最大值 250mW,
无铅
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