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• ON Semiconductor
  TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
  详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
  
  型号：MSC2295-BT1G
  仓库库存编号：MSC2295-BT1G-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
  详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
  
  型号：MSC2295-CT1
  仓库库存编号：MSC2295-CT1-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59
  详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-59
  
  型号：MSC2295-CT1G
  仓库库存编号：MSC2295-CT1G-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：MSC3930-BT1
  仓库库存编号：MSC3930-BT1-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  
  型号：MSC3930-BT1G
  仓库库存编号：MSC3930-BT1G-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Microsemi Corporation
  TRANS NPN 15V 30MA TO-72
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 30mA 4GHz 200mW Through Hole TO-72
  
  型号：MRF904
  仓库库存编号：MRF904-ND
  别名：MRF904MI
  MRF904MI-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68033-T1B-R44-A
  仓库库存编号：NE68033-T1B-R44-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68033-T1B-R45-A
  仓库库存编号：NE68033-T1B-R45-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68133-T1B-R33-A
  仓库库存编号：NE68133-T1B-R33-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68133-T1B-R34-A
  仓库库存编号：NE68133-T1B-R34-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68133-T1B-R35-A
  仓库库存编号：NE68133-T1B-R35-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount 6-SuperMiniMold
  
  型号：UPA672T-T1-A
  仓库库存编号：UPA672T-T1-ACT-ND
  别名：UPA672TT1A
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE68033-T1B-A
  仓库库存编号：NE68033-T1B-ACT-ND
  别名：NE68033-T1B-ACT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-T1B-R25-A
  仓库库存编号：NE85633-T1B-R25-ACT-ND
  别名：NE85633-T1B-R25-ACT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-143
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT-143
  
  型号：NE85639-T1-A
  仓库库存编号：NE85639-T1-ACT-ND
  别名：NE85639-T1-ACT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-T1B-R23-A
  仓库库存编号：NE85633-T1B-R23-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• CEL
  RF TRANSISTOR NPN SOT-23
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
  
  型号：NE85633-R23-A
  仓库库存编号：NE85633-R23-A-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Microsemi Corporation
  TRANS RF BIPO NPN 15V 40MA TO72
  详细描述：RF Transistor NPN 15V 40mA 500MHz 200mW Through Hole TO-72
  
  型号：2N2857
  仓库库存编号：2N2857-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Microsemi Corporation
  TRANS RF NPN 200MW 20MA TO72
  详细描述：RF Transistor NPN 10V 20mA 400MHz 200mW Through Hole TO-72
  
  型号：2N5031
  仓库库存编号：2N5031-ND
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
  
  型号：SSM6N16FUTE85LF
  仓库库存编号：SSM6N16FUTE85LFCT-ND
  别名：SSM6N16FUTE85LFCT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：HN2A01FU-GR(TE85LF
  仓库库存编号：HN2A01FU-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN2A01FU-GR(TE85LF)CT
  HN2A01FU-GR(TE85LF)CT-ND
  HN2A01FU-GR(TE85LFCT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1906(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1906(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1906(T5LFT)CT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2901(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2901(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2901(T5LFT)CT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2902(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2902(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2902(T5LFT)CT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2904(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2904(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2904(T5LFT)CT
  
  规格：功率 - 最大值 200mW,
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