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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
型号：
SSM6L35FU(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
别名：SSM6L35FU(TE85LF)CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
MMDT5551-7-F
仓库库存编号：
MMDT5551-FDICT-ND
别名：MMDT5551-FDICT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Micro Commercial Co
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
MMDT5551-TP
仓库库存编号：
MMDT5551-TPCT-ND
别名：MMDT5551-TPCT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2965(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2965(TE85LF)CT-ND
别名：RN2965(TE85LF)CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2963(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2963(TE85LF)CT-ND
别名：RN2963(TE85LF)CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2962(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2962(TE85LF)CT-ND
别名：RN2962(TE85LF)CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2961(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2961(TE85LF)CT-ND
别名：RN2961(TE85LF)CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1961(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1961(TE85LF)CT-ND
别名：RN1961(TE85LF)CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANSISTOR NPN US6
详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN3C10FUTE85LF
仓库库存编号：
HN3C10FUTE85LFCT-ND
别名：HN3C10FUTE85LFCT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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CEL
RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363
详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 100mA 4.5GHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
UPA801T-T1-A
仓库库存编号：
UPA801T-T1-ACT-ND
别名：UPA801T-T1-ACT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SC-70-6
型号：
2N7002DW
仓库库存编号：
2N7002DWCT-ND
别名：2N7002DWCT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-666
型号：
BC857BV,115
仓库库存编号：
1727-1567-1-ND
别名：1727-1567-1
568-11094-1
568-11094-1-ND
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
2N7002DW-TP
仓库库存编号：
2N7002DW-TPCT-ND
别名：2N7002DW-TPCT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
HBDM60V600W-7
仓库库存编号：
HBDM60V600WDICT-ND
别名：HBDM60V600WDICT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA124EU-7-F
仓库库存编号：
DDA124EU-FDICT-ND
别名：DDA124EU-FDICT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC144NS-7
仓库库存编号：
DDC144NSDICT-ND
别名：DDC144NSDICT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SC-70-6
型号：
FFB5551
仓库库存编号：
FFB5551CT-ND
别名：FFB5551CT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DCX114EU-13R-F
仓库库存编号：
DCX114EU-13R-FDI-ND
别名：DCX114EU-13R-FDI
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
BC857BS-13-F
仓库库存编号：
BC857BS-13-FDI-ND
别名：BC857BS-13-FDI
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1901,LF(CT
仓库库存编号：
RN1901LF(CTCT-ND
别名：RN1901(T5LFT)CT
RN1901(T5LFT)CT-ND
RN1901LF(CTCT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Diodes Incorporated
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
BC856ASQ-7-F
仓库库存编号：
BC856ASQ-7-F-ND
规格：功率 - 最大值 200mW,
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ON Semiconductor
TRANS NPN VHF-UHF HI FREQ CP
详细描述：RF Transistor NPN 8V 50mA 1.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
15GN01CA-TB-E
仓库库存编号：
15GN01CA-TB-E-ND
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN1C01FU-GR,LF
仓库库存编号：
HN1C01FU-GRLFCT-ND
别名：HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FUGRLFTCT-ND
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN1B04FU-GR,LF
仓库库存编号：
HN1B04FU-GRLFCT-ND
别名：HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-ND
HN1B04FU-GRLFCT
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN BIPO 70MA 10V CP
详细描述：RF Transistor NPN 10V 70mA 1.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
15GN03CA-TB-E
仓库库存编号：
15GN03CA-TB-E-ND
规格：功率 - 最大值 200mW,
无铅
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