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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1906FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN1906FELF(CTCT-ND
别名:RN1906FELF(CTCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1907FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN1907FELF(CBCT-ND
别名:RN1907FE(T5LFT)CT
RN1907FE(T5LFT)CT-ND
RN1907FELF(CBCT
RN1907FELF(CTCT
RN1907FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1910FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN1910FELF(CTCT-ND
别名:RN1910FELF(CTCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM
详细描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 7GHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
2SC5066-O,LF
仓库库存编号:
2SC5066-OLFCT-ND
别名:2SC5066-O(T5LFT)CT
2SC5066-O(T5LFT)CT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4990FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4990FELF(CBCT-ND
别名:RN4990FE(T5LFT)CT
RN4990FE(T5LFT)CT-ND
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4907FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4907FELF(CBCT-ND
别名:RN4907FE(T5LFT)CT
RN4907FE(T5LFT)CT-ND
RN4907FELF(CBCT
RN4907FELF(CTCT
RN4907FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2904FE,LF
仓库库存编号:
RN2904FELFCT-ND
别名:RN2904FELF(CTCT
RN2904FELF(CTCT-ND
RN2904FELFCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2907FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN2907FELF(CBCT-ND
别名:RN2907FE(T5LFT)CT
RN2907FE(T5LFT)CT-ND
RN2907FELF(CBCT
RN2907FELF(CTCT
RN2907FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4902FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN4902FELF(CTCT-ND
别名:RN4902FELF(CTCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4904FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4904FELF(CBCT-ND
别名:RN4904FE(T5LFT)CT
RN4904FE(T5LFT)CT-ND
RN4904FELF(CBCT
RN4904FELF(CTCT
RN4904FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
HN1B04FE-Y,LF
仓库库存编号:
HN1B04FE-YLFCT-ND
别名:HN1B04FE-Y(T5LFTCT
HN1B04FE-Y(T5LFTCT-ND
HN1B04FE-YLF(TCT
HN1B04FE-YLF(TCT-ND
HN1B04FE-YLFCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
HN1C01FE-GR,LF
仓库库存编号:
HN1C01FE-GRLFCT-ND
别名:HN1C01FE-GR(5LFTCT
HN1C01FE-GR(5LFTCT-ND
HN1C01FE-GRLFCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4986FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4986FELF(CBCT-ND
别名:RN4986FE(T5LFT)CT
RN4986FE(T5LFT)CT-ND
RN4986FELF(CBCT
RN4986FELF(CTCT
RN4986FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4905FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4905FELF(CBCT-ND
别名:RN4905FE(TE85LF)CT
RN4905FE(TE85LF)CT-ND
RN4905FELF(CBCT
RN4905FELF(CTCT
RN4905FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1911FETE85LF
仓库库存编号:
RN1911FETE85LFCT-ND
别名:RN1911FETE85LFCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4906FE,LF(CB
仓库库存编号:
RN4906FELF(CBCT-ND
别名:RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FE(TE85LF)CT-ND
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CTCT-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI
详细描述:RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SC2714-O(TE85L,F)
仓库库存编号:
2SC2714-O(TE85LF)CT-ND
别名:2SC2714-O(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1902FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN1902FELF(CTCT-ND
别名:RN1902FE(T5LFT)CT
RN1902FE(T5LFT)CT-ND
RN1902FELF(CTCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1904FE,LF(CT
仓库库存编号:
RN1904FELF(CTCT-ND
别名:RN1904FE(T5LFT)CT
RN1904FE(T5LFT)CT-ND
RN1904FELF(CTCT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANSISTOR NPN S-MINI
详细描述:RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount S-Mini
型号:
2SC2714-Y(TE85L,F)
仓库库存编号:
2SC2714-Y(TE85LF)CT-ND
别名:2SC2714-Y(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN1704JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1704JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1704JE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN1702JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1702JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1702JE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
RF TRANS NPN 30V 20MA SC70
详细描述:RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount USM
型号:
2SC4215-O(TE85L,F)
仓库库存编号:
2SC4215-O(TE85LF)CT-ND
别名:2SC4215-O(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM
详细描述:RF Transistor NPN 12V 30mA 7GHz 100mW Surface Mount USM
型号:
2SC5065-O(TE85L,F)
仓库库存编号:
2SC5065-O(TE85LF)CT-ND
别名:2SC5065-O(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
详细描述:RF Transistor NPN 5V 60mA 4GHz 100mW Surface Mount USM
型号:
MT3S16U(TE85L,F)
仓库库存编号:
MT3S16U(TE85LF)CT-ND
别名:MT3S16U(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
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