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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
详细描述:RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 100mW Surface Mount SOT-523
型号:
NE68019-T1-A
仓库库存编号:
NE68019-T1-ACT-ND
别名:NE68019-ACT
NE68019-ACT-ND
NE68019-T1-ACT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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CEL
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
详细描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW Surface Mount SOT-523
型号:
NE85619-T1-A
仓库库存编号:
NE85619-ACT-ND
别名:NE85619-ACT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN BIPO VHF-UHF SMCP
详细描述:RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount SMCP
型号:
2SC5231A-8-TL-E
仓库库存编号:
2SC5231A-8-TL-E-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
详细描述:RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
型号:
EC3H02BA-TL-H
仓库库存编号:
EC3H02BA-TL-H-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
搜索
CEL
TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
详细描述:RF Transistor NPN 12V 60mA 5GHz 100mW Surface Mount 3-SuperMiniMold (19)
型号:
NE58219-T1-A
仓库库存编号:
NE58219-T1-ACT-ND
别名:NE58219-T1-ACT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN BIPO 70MA 10V SMCP
详细描述:RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount SMCP
型号:
2SC5231A-9-TL-E
仓库库存编号:
2SC5231A-9-TL-E-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN BIPO 30MA 10V SMCP
详细描述:RF Transistor NPN 10V 30mA 8GHz 100mW Surface Mount SMCP
型号:
2SC5277A-2-TL-E
仓库库存编号:
2SC5277A-2-TL-E-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN BIPO 100MA 10V SMCP
详细描述:RF Transistor NPN 10V 100mA 5.2GHz 100mW Surface Mount SMCP
型号:
2SC5374A-TL-E
仓库库存编号:
2SC5374A-TL-E-ND
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1961FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1906FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1906FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN1906FE(T5LFT)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1967FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1967FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1967FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1968FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1968FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1968FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1969FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1969FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1969FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1970FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1970FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1970FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1971FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1971FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1971FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
型号:
RN1911(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1911(T5LFT)CT-ND
别名:RN1911(T5LFT)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2902FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2902FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN2902FE(T5LFT)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2904FE(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2904FE(T5LFT)CT-ND
别名:RN2904FE(T5LFT)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2961FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2962FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2962FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2962FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2963FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2963FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2963FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2964FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2964FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2964FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2965FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2965FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2965FE(TE85LF)CT
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详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2966FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2966FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2966FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
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详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2967FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2967FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2967FE(TE85LF)CT
规格:功率 - 最大值 100mW,
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