规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(13)
分立半导体产品
(13)
筛选品牌
Toshiba Semiconductor and Storage (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6111(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6111(TE85LFM)CT-ND
别名:TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFCT-ND
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 6VS
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 1A, 700mA 400mW Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
型号:
TPC6901(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6901(TE85LFM)-ND
别名:TPC6901(TE85L,F)
TPC6901(TE85L,F)-ND
TPC6901(TE85LFM)
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A VS6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6113(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6113(TE85LFM)-ND
别名:TPC6113(TE85LFM)
TPC6113TE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6110(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6110(TE85LFM)-ND
别名:TPC6110(TE85LFM)
TPC6110TE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6109-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6109-H(TE85LFMCT-ND
别名:TPC6109-H(TE85LFMCT
TPC6109-HTE85LFCT
TPC6109-HTE85LFCT-ND
TPC6109HTE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6006-H(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPC6006-H(TE85L,F)-ND
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6104(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6104(TE85L,F,M)-ND
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6107(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6107(TE85L,F,M)-ND
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.9A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 5.3A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6009-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6009-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6011(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6011(TE85LFM)-ND
别名:TPC6011(TE85LFM)
TPC6011TE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6012(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6012(TE85LFM)-ND
别名:TPC6012(TE85LFM)
TPC6012TE85LFM
规格:供应商器件封装 VS-6(2.9x2.8),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号