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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Cree/Wolfspeed
DIODE SILICON 1.7KV 10A CHIP
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1700V 10A 带箔切割晶片
型号:
CPW3-1700-S010B-WP
仓库库存编号:
CPW3-1700-S010B-WP-ND
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Cree/Wolfspeed
DIODE SILICON 1.7KV 25A CHIP
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1700V 25A 带箔切割晶片
型号:
CPW3-1700-S025B-WP
仓库库存编号:
CPW3-1700-S025B-WP-ND
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名:SP000476924
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号:
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名:SP000544188
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名:SP000476912
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名:SP000840426
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号:
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名:SP001049344
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
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MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
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