规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(161)
分立半导体产品
(151)
射频/IF 和 RFID
(2)
电路保护
(8)
筛选品牌
Infineon Technologies (161)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
TVS DIODE 5.3VWM 15VC SOT-363
型号:
ESD5V3U4RRSE6327HTSA1
仓库库存编号:
ESD5V3U4RRSE6327HTSA1CT-ND
别名:ESD5V3U4RRSE6327
ESD5V3U4RRSE6327INCT
ESD5V3U4RRSE6327INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TVS DIODE 5VWM 13VC SOT363
型号:
ESD5V0S5USE6327HTSA1
仓库库存编号:
ESD5V0S5USE6327HTSA1CT-ND
别名:ESD5V0S5USE6327
ESD5V0S5USE6327INCT
ESD5V0S5USE6327INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
2N7002DW L6327
仓库库存编号:
2N7002DW L6327-ND
别名:SP000408436
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363
详细描述:Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 200mA (DC) Surface Mount 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
型号:
BAV 70S E6433
仓库库存编号:
BAV 70S E6433-ND
别名:SP000237278
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3123E6327HTSA1
仓库库存编号:
BG3123E6327HTSA1TR-ND
别名:BG 3123 E6327
BG 3123 E6327-ND
SP000014846
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3430RE6327HTSA1
仓库库存编号:
BG3430RE6327HTSA1TR-ND
别名:BG 3430R E6327
BG 3430R E6327-ND
SP000240529
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT-363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 23dB PG-SOT363-6
型号:
BG5120KE6327HTSA1
仓库库存编号:
BG5120KE6327HTSA1TR-ND
别名:BG 5120K E6327
BG 5120K E6327-ND
SP000292148
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6
型号:
BG5412KE6327HTSA1
仓库库存编号:
BG5412KE6327HTSA1TR-ND
别名:BG 5412K E6327
BG 5412K E6327-ND
SP000468150
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BSD223P L6327
仓库库存编号:
BSD223P L6327-ND
别名:SP000245417
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BSD235C L6327
仓库库存编号:
BSD235C L6327CT-ND
别名:BSD235C L6327CT
BSD235CL6327
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD214SN L6327
仓库库存编号:
BSD214SN L6327INCT-ND
别名:BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BSD235N L6327
仓库库存编号:
BSD235N L6327INCT-ND
别名:BSD235N L6327INCT
BSD235NL6327
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30V 2A(DC) PG-SOT363-6
型号:
BAS3020BH6327XTSA1
仓库库存编号:
BAS3020BH6327XTSA1TR-ND
别名:BAS 3020B H6327
BAS 3020B H6327-ND
SP000749686
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT363
详细描述:Diode Array 2 Pair Series Connection Schottky 70V 70mA (DC) Surface Mount 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
型号:
BAS7004SH6727XTSA1
仓库库存编号:
BAS7004SH6727XTSA1TR-ND
别名:BAS 70-04S H6727
BAS 70-04S H6727-ND
SP000749816
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR108SH6433XTMA1
仓库库存编号:
BCR108SH6433XTMA1TR-ND
别名:BCR 108S H6433
BCR 108S H6433-ND
SP000750778
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 116S E6727
仓库库存编号:
BCR 116S E6727-ND
别名:SP000679396
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 116S H6727
仓库库存编号:
BCR 116S H6727-ND
别名:SP000752048
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 141S E6727
仓库库存编号:
BCR 141S E6727-ND
别名:SP000679398
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 141S H6727
仓库库存编号:
BCR 141S H6727-ND
别名:SP000756254
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 148S H6827
仓库库存编号:
BCR 148S H6827-ND
别名:SP000756266
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR183SH6433XTMA1
仓库库存编号:
BCR183SH6433XTMA1-ND
别名:BCR 183S H6433
BCR 183S H6433-ND
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR198SH6827XTSA1
仓库库存编号:
BCR198SH6827XTSA1-ND
别名:BCR 198S H6827
BCR 198S H6827-ND
SP000757908
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 22PN H6727
仓库库存编号:
BCR 22PN H6727-ND
别名:SP000766122
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR 48PN H6727
仓库库存编号:
BCR 48PN H6727-ND
别名:SP000784046
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6
型号:
BG3123H6327XTSA1
仓库库存编号:
BG3123H6327XTSA1TR-ND
别名:BG 3123 H6327
BG 3123 H6327-ND
SP000753490
规格:供应商器件封装 PG-SOT363-6,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号