规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD01N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD01N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60S5INCT
SPD02N60S5INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 2A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N80C3INCT
SPD02N80C3INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD03N60S5BTMA1CT-ND
别名:SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5
仓库库存编号:
SPD04N60S5INCT-ND
别名:SPD04N60S5INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3INCT
SPD04N80C3INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20
仓库库存编号:
SPD07N20INCT-ND
别名:SPD07N20INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD08P06PGINCT-ND
别名:SPD08P06PGINCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P
仓库库存编号:
SPD18P06PINCT-ND
别名:SPD18P06PINCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPINCT
IPD60R385CPINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号:
IDD04SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD04SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD04SG60C
IDD04SG60C-ND
SP000786804
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD05SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD05SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD05SG60C
IDD05SG60C-ND
SP000411544
SP000786806
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD06SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD06SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD06SG60C
IDD06SG60C-ND
SP000786808
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 8A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD08SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD08SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD08SG60C
IDD08SG60C-ND
SP000411548
SP000786810
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 9A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD09SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD09SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD09SG60C
IDD09SG60C-ND
SP000411550
SP000786812
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD10SG60CXTMA1
仓库库存编号:
IDD10SG60CXTMA1TR-ND
别名:IDD10SG60C
IDD10SG60C-ND
SP000608030
SP000786814
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD068N10N3 G
IPD068N10N3 G-ND
SP000469892
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名:IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CNE8N G
仓库库存编号:
IPD12CNE8N G-ND
别名:SP000096477
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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