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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 5V 400MA TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 5V 400mA PG-TO252-3
型号:
TLE42744DV50ATMA1
仓库库存编号:
TLE42744DV50ATMA1CT-ND
别名:TLE42744D V50CT
TLE42744D V50CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L-02
仓库库存编号:
IPD90N03S4L-02CT-ND
别名:IPD90N03S4L-02CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P G
仓库库存编号:
SPD30P06P GCT-ND
别名:SPD30P06P GCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD082N10N3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 137W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90P03P404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P03P404ATMA1CT-ND
别名:IPD90P03P4-04INCT
IPD90P03P4-04INCT-ND
IPD90P03P404ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250C6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250C6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250C6XTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 5V 500MA TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 5V 500mA PG-TO252-3
型号:
IFX78M05ABTFATMA1
仓库库存编号:
IFX78M05ABTFATMA1CT-ND
别名:IFX78M05ABTFATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L14ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N03S4L-04
仓库库存编号:
IPD70N03S4L-04CT-ND
别名:IPD70N03S4L-04CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名:SPD08P06PGBTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IC PWR SWITCH 42V 2.4A TO252
型号:
BTS118DATMA1
仓库库存编号:
BTS118DATMA1CT-ND
别名:BTS118DATMA1CT
BTS118DCT
BTS118DCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD25CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD25CN10NGATMA1CT
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD06N60RFATMA1
仓库库存编号:
IKD06N60RFATMA1CT-ND
别名:IKD06N60RF-CT
IKD06N60RF-CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R450E6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R450E6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CE
仓库库存编号:
IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 26W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R3K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R3K0CEAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600E6
仓库库存编号:
IPD60R600E6CT-ND
别名:IPD60R600E6CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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