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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CECT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4CEAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R800CEATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R950CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R950CEAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 23W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4P7SAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD350N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD350N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD350N06LGBTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD78CN10NGATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K4C6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CE
仓库库存编号:
IPD50R800CECT-ND
别名:IPD50R800CECT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.1A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R380CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R380CEAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R380CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R380CEATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 3.3V 1A TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 3.3V 1A PG-TO252-3
型号:
IFX27001TF V33
仓库库存编号:
IFX27001TF V33INCT-ND
别名:IFX27001TF V33INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD33CN10NGATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R900P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R900P7SAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述:N 沟道 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD135N08N3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD079N06L3 G
仓库库存编号:
IPD079N06L3 GCT-ND
别名:IPD079N06L3 GCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6.5A 53.6W TO252
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 6.5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD03N60RFATMA1
仓库库存编号:
IKD03N60RFATMA1CT-ND
别名:IKD03N60RFATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO252-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 12A 88W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IGD06N60TATMA1
仓库库存编号:
IGD06N60TATMA1CT-ND
别名:IGD06N60TATMA1CT
IGD06N60TCT
IGD06N60TCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R950C6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60RATMA1
仓库库存编号:
IKD04N60RATMA1CT-ND
别名:IKD04N60RATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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