规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R600P7SAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 1.8V 1A TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 1.8V 1A PG-TO252-3
型号:
IFX27001TF V18
仓库库存编号:
IFX27001TF V18INCT-ND
别名:IFX27001TF V18INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT PRODUCTS
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60RFATMA1
仓库库存编号:
IKD04N60RFATMA1CT-ND
别名:IKD04N60RFATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P G
仓库库存编号:
SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N50C3
仓库库存编号:
SPD03N50C3INCT-ND
别名:SPD03N50C3INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD03N60RF
仓库库存编号:
IKD03N60RFCT-ND
别名:IKD03N60RFCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 3.3V 400MA TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 3.3V 400mA PG-TO252-3
型号:
TLF80511TFV33ATMA1
仓库库存编号:
TLF80511TFV33ATMA1CT-ND
别名:TLF80511TFV33ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD06N60RATMA1
仓库库存编号:
IKD06N60RATMA1CT-ND
别名:IKD06N60RATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 400MA TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 3.3V 400mA PG-TO252-3
型号:
TLE42744DV33ATMA1
仓库库存编号:
TLE42744DV33ATMA1CT-ND
别名:TLE42744DV33ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名:IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH6N03LAG
仓库库存编号:
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名:IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD10N60RFATMA1
仓库库存编号:
IKD10N60RFATMA1CT-ND
别名:IKD10N60RF-CT
IKD10N60RF-CT-ND
IKD10N60RFATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD10N60RATMA1
仓库库存编号:
IKD10N60RATMA1CT-ND
别名:IKD10N60RATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD15P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD15P10PGBTMA1CT-ND
别名:SPD15P10PGBTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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