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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD048N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD048N06L3GBTMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 5V 400MA TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 5V 400mA PG-TO252-3
型号:
TLF80511TFV50ATMA1
仓库库存编号:
TLF80511TFV50ATMA1CT-ND
别名:TLF80511TF V50CT
TLF80511TF V50CT-ND
TLF80511TFV50ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Tc) 73W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CE
仓库库存编号:
IPD50R380CECT-ND
别名:IPD50R380CECT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 34A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Tc) 59.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R360P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R360P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R360P7SAUMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N50C3
仓库库存编号:
SPD04N50C3INCT-ND
别名:SPD04N50C3INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC PWR LOAD SWITCH 42V
型号:
BTS3060TFATMA1
仓库库存编号:
BTS3060TFATMA1CT-ND
别名:BTS3060TFATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6
仓库库存编号:
IPD60R450E6CT-ND
别名:IPD60R450E6CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R190C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R190C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R190C7ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
别名:IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380C6ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N06L3 G
仓库库存编号:
IPD031N06L3 GCT-ND
别名:IPD031N06L3 GCT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD042P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD042P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD042P03L3GATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
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MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 18W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R3K3P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R3K3P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R3K3P7ATMA1CT
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MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 75W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD22N08S2L50ATMA1
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IPD22N08S2L50ATMA1CT-ND
别名:IPD22N08S2L50ATMA1CT
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