规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 82W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名:SP001369530
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 10.5A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600CEAUMA1-ND
别名:SP001466998
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 29.2A(DC) PG-TO252-3
型号:
IDD15E60BUMA2
仓库库存编号:
IDD15E60BUMA2TR-ND
别名:IDD15E60
IDD15E60-ND
SP000077587
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名:SP001107078
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc) 118W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名:SP001466800
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名:SP001117732
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号:
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名:IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名:IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 6A 30W TO252-3
详细描述:IGBT NPT 600V 6A 30W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
SGD02N60BUMA1
仓库库存编号:
SGD02N60BUMA1TR-ND
别名:SGD02N60
SGD02N60-ND
SP000011993
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S3-08
仓库库存编号:
IPD50N04S308ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S3-08CT
IPD50N04S3-08CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名:IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名:SP001117750
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236957
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
详细描述:IGBT 1200V 3.2A 28W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IGD01N120H2BUMA1
仓库库存编号:
IGD01N120H2BUMA1TR-ND
别名:IGD01N120H2
IGD01N120H2-ND
SP000014523
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 88W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名:IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名:SP001117728
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD03N60RFAATMA1
仓库库存编号:
IKD03N60RFAATMA1-ND
别名:SP001205236
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名:IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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