规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IC SWITCH N-CH LOW SIDE DPAK
型号:
BTS3118DATMA1
仓库库存编号:
BTS3118DATMA1CT-ND
别名:BTS3118DINCT
BTS3118DINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80N04S3-06
仓库库存编号:
IPD80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPD80N04S3-06CT
IPD80N04S3-06CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60RAATMA1
仓库库存编号:
IKD04N60RAATMA1-ND
别名:SP000943854
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名:IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
SGD02N120
仓库库存编号:
SGD02N120BUMA1CT-ND
别名:SGD02N120CT
SGD02N120CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60RFAATMA1
仓库库存编号:
IKD04N60RFAATMA1-ND
别名:SP001205240
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117096
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名:IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名:SP001117748
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD06N60RAATMA2
仓库库存编号:
IKD06N60RAATMA2TR-ND
别名:IKD06N60RA
IKD06N60RA-ND
SP000979642
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD06N60RFAATMA1
仓库库存编号:
IKD06N60RFAATMA1-ND
别名:SP001170582
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IC REG LINEAR 5V 300MA TO252-3
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 5V 300mA PG-TO252-3
型号:
TLE72742DATMA1
仓库库存编号:
TLE72742DATMA1TR-ND
别名:SP000468054
TLE7274-2D
TLE7274-2D-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S3L-12
仓库库存编号:
IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPD90N04S3-H4
IPD90N04S3-H4-ND
SP000415584
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD033N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD033N06NATMA1-ND
别名:SP001602182
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08N50C3
仓库库存编号:
SPD08N50C3INCT-ND
别名:SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名:SP001117736
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDATMA1-ND
别名:SP001117738
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD10N60RAATMA2
仓库库存编号:
IKD10N60RAATMA2TR-ND
别名:IKD10N60RA
IKD10N60RA-ND
IKD10N60RAATMA1
SP000707606
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000928260
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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