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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N50C3ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3-1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD03N50C3ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3-1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3-1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117760
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3-1,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD06N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3ATMA1-ND
别名:SP001117770
规格:供应商器件封装 PG-TO252-3-1,
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