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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N08N3 G
仓库库存编号:
IPB054N08N3 GCT-ND
别名:IPB054N08N3 GCT
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N15N3 G
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MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB320N20N3 G
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MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
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MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
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MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
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MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
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MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
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MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
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MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
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IPB034N06L3 G
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MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB144N12N3 G
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MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
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IPB065N03L G
仓库库存编号:
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MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO263-2
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IPB60R950C6CT-ND
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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-2
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IPB60R600C6
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IPB60R600C6CT-ND
别名:IPB60R600C6CT
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MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB067N08N3 G
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IPB067N08N3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB035N08N3 G
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MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
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IPB042N03L G
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MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
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SPB18P06P G
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SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
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MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB081N06L3 G
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IPB081N06L3 GCT-ND
别名:IPB081N06L3 GCT
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MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
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IPB054N06N3 G
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IPB054N06N3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R190C6
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IPB60R190C6INCT-ND
别名:IPB60R190C6INCT
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MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160C6
仓库库存编号:
IPB60R160C6CT-ND
别名:IPB60R160C6CT
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04N G
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IPB015N04N GCT-ND
别名:IPB015N04N GCT
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MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB108N15N3 G
仓库库存编号:
IPB108N15N3 GCT-ND
别名:IPB108N15N3 GCT
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MOSFET N-CH 600V 30A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R125C6
仓库库存编号:
IPB60R125C6CT-ND
别名:IPB60R125C6CT
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