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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB027N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N3 GCT
  IPB027N10N3 GCT-ND
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N25N3 G
  仓库库存编号：IPB200N25N3 GCT-ND
  别名：IPB200N25N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB080N03L G
  仓库库存编号：IPB080N03L GCT-ND
  别名：IPB080N03L GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB090N06N3 G
  仓库库存编号：IPB090N06N3 GCT-ND
  别名：IPB090N06N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB034N03L G
  仓库库存编号：IPB034N03LGINCT-ND
  别名：IPB034N03LGINCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB123N10N3 G
  仓库库存编号：IPB123N10N3 GCT-ND
  别名：IPB123N10N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R380C6
  仓库库存编号：IPB60R380C6CT-ND
  别名：IPB60R380C6CT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB600N25N3 G
  仓库库存编号：IPB600N25N3 GCT-ND
  别名：IPB600N25N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB020NE7N3 G
  仓库库存编号：IPB020NE7N3 GCT-ND
  别名：IPB020NE7N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R099C6
  仓库库存编号：IPB60R099C6CT-ND
  别名：IPB60R099C6CT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB029N06N3 G
  仓库库存编号：IPB029N06N3 GCT-ND
  别名：IPB029N06N3 GCT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R280C6
  仓库库存编号：IPB60R280C6CT-ND
  别名：IPB60R280C6CT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：SPB08P06PGATMA1
  仓库库存编号：SPB08P06PGATMA1TR-ND
  别名：SP000102179
  SPB08P06P G
  SPB08P06P G-ND
  SPB08P06PGINTR
  SPB08P06PGINTR-ND
  SPB08P06PGXT
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB055N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB055N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB055N03L G
  IPB055N03LGINTR
  IPB055N03LGINTR-ND
  IPB055N03LGXT
  SP000304110
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 2A（DC） PG-TO263-2
  
  型号：IDK02G65C5XTMA2
  仓库库存编号：IDK02G65C5XTMA2-ND
  别名：SP001633208
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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  MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB530N15N3 GCT
  IPB530N15N3 GCT-ND
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 3A（DC） PG-TO263-2
  
  型号：IDK03G65C5XTMA2
  仓库库存编号：IDK03G65C5XTMA2-ND
  别名：SP001633206
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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  DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 4A（DC） PG-TO263-2
  
  型号：IDK04G65C5XTMA2
  仓库库存编号：IDK04G65C5XTMA2-ND
  别名：SP001633202
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N08S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N08S404ATMA1-ND
  别名：SP000989094
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 650V 5A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 5A（DC） PG-TO263-2
  
  型号：IDK05G65C5XTMA2
  仓库库存编号：IDK05G65C5XTMA2-ND
  别名：SP001633204
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R160P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R160P6ATMA1-ND
  别名：SP001313876
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 6A（DC） PG-TO263-2
  
  型号：IDK06G65C5XTMA2
  仓库库存编号：IDK06G65C5XTMA2-ND
  别名：SP001632974
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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  IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 D2PAK
  
  型号：IPS021STRL
  仓库库存编号：IPS021STRL-ND
  别名：SP001513576
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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• Infineon Technologies
  DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 650V 9A（DC） PG-TO263-2
  
  型号：IDK09G65C5XTMA2
  仓库库存编号：IDK09G65C5XTMA2-ND
  别名：SP001633200
  
  规格：供应商器件封装 PG-TO263-2,
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