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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号:
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别名:IPB048N06LG
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-2
型号:
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仓库库存编号:
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 42W(Tc) PG-TO263-2
型号:
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB05CN10N G
仓库库存编号:
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别名:SP000096440
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
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SP000254712
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
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IPB16CN10N G
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
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SP000277692
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-2
型号:
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SP000277693
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
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IPB79CN10N G
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IPB79CN10N G-ND
别名:SP000277697
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB021N06N3GATMA1
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别名:IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO263-2
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IPB60R600CPATMA1
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IPB60R600CPCT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
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IPB022N04LGATMA1
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别名:IPB022N04L GCT
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LG
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB041N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB041N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB041N04N GCT
IPB041N04N GCT-ND
IPB041N04NG
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB049N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPB049N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPB049N06L3 GCT
IPB049N06L3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB052N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB052N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB052N04N GCT
IPB052N04N GCT-ND
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
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IPB075N04LGATMA1
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IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
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规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
规格:供应商器件封装 PG-TO263-2,
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