规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 170W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
IGB20N60H3
仓库库存编号:
IGB20N60H3CT-ND
别名:IGB20N60H3CT
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3 G E8187-ND
SP000939334
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227052
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB065N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB065N10N3GATMA1-ND
别名:SP001232588
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16.8A(Tc) 126W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R230P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R230P6ATMA1-ND
别名:SP001364466
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 170W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
IKB20N60H3ATMA1
仓库库存编号:
IKB20N60H3ATMA1TR-ND
别名:IKB20N60H3
IKB20N60H3-ND
SP000852234
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名:SP000539970
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名:SP001296224
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 166W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 156W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
IKB20N60TAATMA1
仓库库存编号:
IKB20N60TAATMA1-ND
别名:SP000629372
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R199CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R199CPAATMA1-ND
别名:SP000539966
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB024N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB024N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227044
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SGB15N120ATMA1
仓库库存编号:
SGB15N120ATMA1TR-ND
别名:SGB15N120
SGB15N120-ND
SP000012560
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R120C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R120C7ATMA1-ND
别名:SP001385048
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 105A(Tc) 179W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB083N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB083N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503862
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R099C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R099C7ATMA1-ND
别名:SP001297998
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 120A(Tc) 313W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB048N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB048N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503860
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 44A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB407N30NATMA1
仓库库存编号:
IPB407N30NATMA1-ND
别名:SP001273344
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R060C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R060C7ATMA1-ND
别名:SP001385008
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名:SP001277610
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名:BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
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BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB
仓库库存编号:
IPB03N03LB-ND
别名:IPB03N03LBT
SP000074722
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB
仓库库存编号:
IPB04N03LB-ND
别名:IPB04N03LBT
SP000064219
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB G
仓库库存编号:
IPB04N03LB G-ND
别名:IPB04N03LBGXT
SP000103301
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3,
无铅
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