规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(262)
分立半导体产品
(257)
集成电路(IC)
(5)
筛选品牌
Infineon Technologies (262)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名:IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80P03P405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80P03P405ATMA1TR-ND
别名:IPB80P03P4-05
IPB80P03P4-05-ND
SP000396282
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S208ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S208ATMA2-ND
别名:SP001067884
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
详细描述:IGBT Trench 600V 30A 130W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
IGB15N60TATMA1
仓库库存编号:
IGB15N60TATMA1TR-ND
别名:IGB15N60T
IGB15N60T-ND
SP000054921
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA2-ND
别名:SP001028754
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N04S402ATMA1TR-ND
别名:IPB90N04S4-02
IPB90N04S4-02-ND
SP000646182
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S207ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S207ATMA4-ND
别名:SP001067870
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 120A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120P04P404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120P04P404ATMA1-ND
别名:SP000842270
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10SL-26
仓库库存编号:
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S4L04ATMA2
仓库库存编号:
IPB90N06S4L04ATMA2-ND
别名:SP001028756
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S4L02ATMA1-ND
别名:SP000979924
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名:SP001058126
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028770
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
详细描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
IKB03N120H2ATMA1
仓库库存编号:
IKB03N120H2ATMA1TR-ND
别名:IKB03N120H2
IKB03N120H2-ND
SP000014272
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R299CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R299CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
SP000236094
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R385CP
仓库库存编号:
IPB60R385CPCT-ND
别名:IPB60R385CPCT
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名:SP000984296
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
SKB02N120ATMA1
仓库库存编号:
SKB02N120ATMA1TR-ND
别名:SKB02N120
SKB02N120-ND
SP000012567
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB12N50C3
仓库库存编号:
SPB12N50C3INCT-ND
别名:SPB12N50C3INCT
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
SP000236093
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S204ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA2-ND
别名:SP001063636
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S207ATMA1TR-ND
别名:IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07-ND
SP000219048
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名:SP001102592
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R299CP
仓库库存编号:
IPB60R299CPCT-ND
别名:IPB60R299CPCT
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001063640
规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号