规格:供应商器件封装 TO-251,
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STMicroelectronics
TRANS NPN 400V 2A IPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 2A 20W Through Hole TO-251
型号:
BULD118D-1
仓库库存编号:
497-12151-ND
别名:497-12151
BULD118D1
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 450V 1.5A TO251
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 1.5A 4MHz 24W Through Hole TO-251
型号:
APT13003DI-G1
仓库库存编号:
APT13003DI-G1DI-ND
别名:APT13003DI-G1DI
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001276050
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 40V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) TO-251
型号:
STU80N4F6
仓库库存编号:
497-13657-5-ND
别名:497-13657-5
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) TO-251
型号:
STU8N80K5
仓库库存编号:
497-13658-5-ND
别名:497-13658-5
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-251
型号:
IXTU12N06T
仓库库存编号:
IXTU12N06T-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-251
型号:
IXTU8N70X2
仓库库存编号:
IXTU8N70X2-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO251
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 10A Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
型号:
MBR2045CTI
仓库库存编号:
MBR2045CTIDI-ND
别名:MBR2045CTIDI
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SI3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SI3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SI3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SH3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SH3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SH3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 450V 3.2A TO251
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 4MHz Through Hole TO-251
型号:
APT13005SI-G1
仓库库存编号:
APT13005SI-G1DI-ND
别名:APT13005SI-G1DI
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251
型号:
AOY2N60
仓库库存编号:
AOY2N60-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 450V 4A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 4MHz Through Hole TO-251
型号:
APT13005DI-G1
仓库库存编号:
APT13005DI-G1-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-251
型号:
SIHU3N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHU3N50D-GE3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-251
型号:
SIHU5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHU5N50D-GE3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-251
型号:
RJK6002DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6002DPH-E0#T2-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMG3N60SJ3
仓库库存编号:
DMG3N60SJ3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 600V 3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMG4N60SJ3
仓库库存编号:
DMG4N60SJ3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH TO251
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SJ3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SJ3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-251
型号:
DMG7N65SJ3
仓库库存编号:
DMG7N65SJ3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-251
型号:
SIHU7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHU7N60E-E3-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 50W(Tc) TO-251
型号:
IXTU1R4N60P
仓库库存编号:
IXTU1R4N60P-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) TO-251
型号:
IXTU50N085T
仓库库存编号:
IXTU50N085T-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) TO-251
型号:
IXTU55N075T
仓库库存编号:
IXTU55N075T-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) TO-251
型号:
IXTU64N055T
仓库库存编号:
IXTU64N055T-ND
规格:供应商器件封装 TO-251,
无铅
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