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• Winbond Electronics
  IC FLASH 2GBIT 25NS 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：W29N02GVBIAA
  仓库库存编号：W29N02GVBIAA-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 400MHz 400ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H512M8WTR-25E:C
  仓库库存编号：MT47H512M8WTR-25E:C-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 400MHz 400ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H512M8WTR-25E:C TR
  仓库库存编号：MT47H512M8WTR-25E:C TR-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （1G x 4） 并联 400MHz 400ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H1G4WTR-25E:C TR
  仓库库存编号：MT47H1G4WTR-25E:C TR-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （1G x 4） 并联 400MHz 400ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H1G4WTR-25E:C
  仓库库存编号：MT47H1G4WTR-25E:C-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （512M x 4） 并联 333MHz 450ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H512M4THN-3:E TR
  仓库库存编号：MT47H512M4THN-3:E TR-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （512M x 4） 并联 267MHz 500ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H512M4THN-37E:E TR
  仓库库存编号：MT47H512M4THN-37E:E TR-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 333MHZ 63FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 333MHz 450ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H512M8WTR-3:C
  仓库库存编号：MT47H512M8WTR-3:C-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （512M x 4） 并联 333MHz 450ps 63-FBGA（9x11.5）
  
  型号：MT47H512M4THN-3:H
  仓库库存编号：MT47H512M4THN-3:H-ND
  
  规格：供应商器件封装 63-FBGA（9x11.5）,
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