规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60W5S1VQ-ND
别名:TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SA1962-O(Q)
仓库库存编号:
2SA1962-OQ-ND
别名:2SA1962-OQ
2SA1962OQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 144W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK12J60U(F)
仓库库存编号:
TK12J60UF-ND
别名:TK12J60U(F)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 190W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK20J60U(F)
仓库库存编号:
TK20J60UF-ND
别名:TK20J60U(F)-ND
TK20J60UF
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 170W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK15J60U(F)
仓库库存编号:
TK15J60UF-ND
别名:TK15J60U(F)-ND
TK15J60UF
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SC5200N(S1,E,S)
仓库库存编号:
2SC5200N(S1ES)-ND
别名:2SC5200N(S1ES)
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SA1943N(S1,E,S)
仓库库存编号:
2SA1943N(S1ES)-ND
别名:2SA1943N(S1ES)
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 200W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK7J90E,S1E
仓库库存编号:
TK7J90ES1E-ND
别名:TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 61.8A(Ta) 400W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK62J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK62J60WS1VQ-ND
别名:TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60WS1VQ-ND
别名:TK31J60W,S1VQ(O
TK31J60WS1VQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60WS1VQ-ND
别名:TK39J60W,S1VQ(O
TK39J60WS1VQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 230V 15A TO-3PN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A 30MHz 130W Through Hole TO-3P(N)
型号:
2SC5242-O(Q)
仓库库存编号:
2SC5242-O(Q)-ND
别名:2SC5242-O (Q)
2SC5242-O(Q,T)
2SC5242-OQ
2SC5242-OQ-ND
2SC5242-OQT-ND
2SC5242OQ
Q11062919
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK16J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK16J60WS1VQ-ND
别名:TK16J60W,S1VQ(O
TK16J60WS1VQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK9J90E,S1E
仓库库存编号:
TK9J90ES1E-ND
别名:TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK10J80E,S1E
仓库库存编号:
TK10J80ES1E-ND
别名:TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK31J60W5S1VQ-ND
别名:TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 125W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK2719(F)
仓库库存编号:
2SK2719(F)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 30A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK2967(F)
仓库库存编号:
2SK2967(F)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 30V 60A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK3128(Q)
仓库库存编号:
2SK3128(Q)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 50V 45A(Ta) 125W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK2744(F)
仓库库存编号:
2SK2744(F)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK3906(Q)
仓库库存编号:
2SK3906(Q)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
30JL2C41(F)
仓库库存编号:
30JL2C41(F)-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P(N),
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