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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGTR
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM020N04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM020N04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM020N04LCR RLGDKR
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6010LPDQ-13
  仓库库存编号：DMTH6010LPDQ-13DICT-ND
  别名：DMTH6010LPDQ-13DICT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGTR
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM024NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM024NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM024NA04LCR RLGDKR
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGTR-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGTR
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGCT-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM033NA04LCR RLG
  仓库库存编号：TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM033NA04LCR RLGDKR
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 50A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH6012SPSQ-13
  仓库库存编号：DMNH6012SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMNH6012SPSQ-13DICT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16.5A（Ta），88A（Tc） 1.6W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH6008SPSQ-13
  仓库库存编号：DMNH6008SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMNH6008SPSQ-13DICT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 9.2A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3500
  仓库库存编号：FDMS3500CT-ND
  别名：FDMS3500CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60E-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65E-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.3A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N65E-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH24N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH24N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH24N65E-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH20N50E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH20N50E-T1-GE3-ND
  别名：SIHH20N50E-T1-GE3CT
  SIHH20N50E-T1-GE3CT-ND
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），36A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ0909NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0909NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ0909NSCT
  BSZ0909NSCT-ND
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N03LSCGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
  别名：BSC079N03LSCGATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 42W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC50N04S55R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
  别名：IPC50N04S55R8ATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 9.5A, 6.9A 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
  
  型号：DMC1015UPD-13
  仓库库存编号：DMC1015UPD-13DICT-ND
  别名：DMC1015UPD-13DICT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 1.6W（Ta）, 53W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMNH6021SPSQ-13
  仓库库存编号：DMNH6021SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMNH6021SPSQ-13DICT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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