规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC500N20NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC500N20NS3GATMA1CT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC86102
仓库库存编号:
FDMC86102CT-ND
别名:FDMC86102CT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86102LZ
仓库库存编号:
FDMS86102LZCT-ND
别名:FDMS86102LZCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7W(Ta), 110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C628NLT1GOSCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3624S
仓库库存编号:
FDMS3624SCT-ND
别名:FDMS3624SCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC010NE2LSI
仓库库存编号:
BSC010NE2LSICT-ND
别名:BSC010NE2LSICT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N04LS G
仓库库存编号:
BSC016N04LS GCT-ND
别名:BSC016N04LS GCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 2.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP2002UPS-13
仓库库存编号:
DMP2002UPS-13DICT-ND
别名:DMP2002UPS-13DICT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16325Q5C
仓库库存编号:
296-25645-1-ND
别名:296-25645-1
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta),90A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N10NS5ATMA1CT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD17312Q5
仓库库存编号:
296-27613-1-ND
别名:296-27613-1
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSATMA1CT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC028N06LS3 GCT
BSC028N06LS3 GCT-ND
BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),98A(Tc) 139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC2514SDC
仓库库存编号:
FDMC2514SDCCT-ND
别名:FDMC2514SDCCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号:
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名:BSC320N20NS3 GCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSIATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSIATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSIATMA1CT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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