规格:封装/外壳 TO-3,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
详细描述:Digital Switch Unipolar Switch Open Drain Hall Effect PG-SC-59
型号:
TLE49643KXTSA1
仓库库存编号:
TLE49643KXTSA1CT-ND
别名:TLE49643KXTSA1CT
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Aeroflex Metelics, Division of MACOM
DIODE
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 10A 6W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N6249
仓库库存编号:
1657-1229-ND
别名:1657-1229
1657-1229-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 223W Through Hole TO-3P
型号:
GPA020A135MN-FD
仓库库存编号:
1560-1217-5-ND
别名:1560-1217-1
1560-1217-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPA020A120MN-FD
仓库库存编号:
1560-1216-5-ND
别名:1560-1216-1
1560-1216-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
详细描述:IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3PN
型号:
GPA025A120MN-ND
仓库库存编号:
1560-1218-5-ND
别名:1560-1218-1
1560-1218-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPI040A060MN-FD
仓库库存编号:
1560-1227-5-ND
别名:1560-1227-1
1560-1227-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPA030A135MN-FDR
仓库库存编号:
1560-1221-5-ND
别名:1560-1221-1
1560-1221-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 600V 120A 347W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPA060A060MN-FD
仓库库存编号:
1560-1226-5-ND
别名:1560-1226-1
1560-1226-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPA030A120MN-FD
仓库库存编号:
1560-1220-5-ND
别名:1560-1220-1
1560-1220-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号:
GPA040A120MN-FD
仓库库存编号:
1560-1224-5-ND
别名:1560-1224-1
1560-1224-1-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 26VC TO3
型号:
LDTS14
仓库库存编号:
LDTS14-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 23.5VC TO3
型号:
LDTS14A
仓库库存编号:
LDTS14A-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 30VWM 43VC TO3
型号:
LDTS24
仓库库存编号:
LDTS24-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 70V 15A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 70V 15A 6W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JAN2N3055
仓库库存编号:
1086-20781-ND
别名:1086-20781
1086-20781-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 10A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 5W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JAN2N3716
仓库库存编号:
1086-20900-ND
别名:1086-20900
1086-20900-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JAN2N6052
仓库库存编号:
1086-21080-ND
别名:1086-21080
1086-21080-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JAN2N6058
仓库库存编号:
1086-21081-ND
别名:1086-21081
1086-21081-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 30VWM 54VC TO3
型号:
LDTS30
仓库库存编号:
LDTS30-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 48VWM 78VC TO3
型号:
LDTS48A
仓库库存编号:
LDTS48A-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 30VWM 48.5VC TO3
型号:
LDTS30A
仓库库存编号:
LDTS30A-ND
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN DARL 80V 20A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 20A 175W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JAN2N6283
仓库库存编号:
1086-21093-ND
别名:1086-21093
1086-21093-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 80V 10A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 5W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JAN2N3792
仓库库存编号:
1086-20919-ND
别名:1086-20919
1086-20919-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 200V 10A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 10A 6W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTX2N6249
仓库库存编号:
1086-21088-ND
别名:1086-21088
1086-21088-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 200V 10A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 10A 6W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N6249
仓库库存编号:
1086-21089-ND
别名:1086-21089
1086-21089-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 275V 10A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 275V 10A 6W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
型号:
JANTXV2N6250
仓库库存编号:
1086-21091-ND
别名:1086-21091
1086-21091-MIL
规格:封装/外壳 TO-3,
含铅
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