规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL11N65M5
仓库库存编号:
497-15261-1-ND
别名:497-15261-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta),22.5A(Tc) 2.8W(Ta),189W(Tc) PowerFLAT?(8x8)
型号:
STL57N65M5
仓库库存编号:
497-13520-1-ND
别名:497-13520-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),56A(Tc) 2.7W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD16411Q3
仓库库存编号:
296-24255-1-ND
别名:296-24255-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 76A 8SON
详细描述:表面贴装 P 沟道 76A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD25402Q3A
仓库库存编号:
296-38916-1-ND
别名:296-38916-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5476DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5476DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5476DU-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IC REG BUCK ADJ 3A 8DFN
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.8V 1 输出 3A 8-PowerVDFN
型号:
AOZ1212DI
仓库库存编号:
785-1160-1-ND
别名:785-1160-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 100V 30A POWRFLAT
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFLAT(6x5)
型号:
STPS30H100DJF-TR
仓库库存编号:
497-15671-1-ND
别名:497-15671-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 65A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号:
STL65DN3LLH5
仓库库存编号:
497-10881-1-ND
别名:497-10881-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 60V 30A POWERFLAT
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?(5x6)
型号:
STPS30M60DJF-TR
仓库库存编号:
497-12421-1-ND
别名:497-12421-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 120V 30A POWRFLAT
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?(5x6)
型号:
STPS30120DJF-TR
仓库库存编号:
497-10101-1-ND
别名:497-10101-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPHR9003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPHR9003NLL1QCT-ND
别名:TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QCT-ND
TPHR9003NLL1QCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 170V 30A POWRFLAT
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?(6x5)
型号:
STPS30170DJF-TR
仓库库存编号:
497-10344-1-ND
别名:497-10344-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N4LLF5
仓库库存编号:
497-10879-1-ND
别名:497-10879-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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STMicroelectronics
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
详细描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 50mA 500MHz 20dB 3W PowerFLAT? (5x5)
型号:
PD54003L-E
仓库库存编号:
497-6470-1-ND
别名:497-6470-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5419DU-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R712MD,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R712MDL1QCT-ND
别名:TPN4R712MDL1QCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 1.6W(Ta),34W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH11006NL,LQ
仓库库存编号:
TPH11006NLLQCT-ND
别名:TPH11006NLLQCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
型号:
CSD17551Q3A
仓库库存编号:
296-35025-1-ND
别名:296-35025-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS27DN-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS23DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS23DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS23DN-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ100N06LS3GINCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN3300ANH,LQ
仓库库存编号:
TPN3300ANHLQCT-ND
别名:TPN3300ANHLQCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ086P03NS3 G
仓库库存编号:
BSZ086P03NS3 GCT-ND
别名:BSZ086P03NS3 GCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta) 8-SON(3.3x3.3)
型号:
CSD17552Q3A
仓库库存编号:
296-34990-1-ND
别名:296-34990-1
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
型号:
BSC150N03LD G
仓库库存编号:
BSC150N03LD GCT-ND
别名:BSC150N03LD GCT
规格:封装/外壳 8-PowerVDFN,
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