规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SI7655ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7655ADN-T1-GE3CT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），29W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17579Q3AT
仓库库存编号：
296-38463-1-ND
别名：296-38463-1
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ067N06LS3 G
仓库库存编号：
BSZ067N06LS3GINCT-ND
别名：BSZ067N06LS3GINCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），37W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17578Q3AT
仓库库存编号：
296-38462-1-ND
别名：296-38462-1
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ123N08NS3 G
仓库库存编号：
BSZ123N08NS3GINCT-ND
别名：BSZ123N08NS3GINCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
型号：
BSC072N03LD G
仓库库存编号：
BSC072N03LD GCT-ND
别名：BSC072N03LD GCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD18543Q3AT
仓库库存编号：
296-45302-1-ND
别名：296-45302-1
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH7R506NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH7R506NHL1QCT-ND
别名：TPH7R506NHL1QCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N10S4L22AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND
别名：IPG20N10S4L22AATMA1CT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH3300CNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH3300CNHL1QCT-ND
别名：TPH3300CNH,L1QCT
TPH3300CNH,L1QCT-ND
TPH3300CNHL1QCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
型号：
IRFH9310TRPBF
仓库库存编号：
IRFH9310TRPBFCT-ND
别名：IRFH9310TRPBFCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH6400ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPH6400ENHL1QCT-ND
别名：TPH6400ENH,L1QCT
TPH6400ENH,L1QCT-ND
TPH6400ENHL1QCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1110FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH1110FNHL1QCT-ND
别名：TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5053TRPBF
仓库库存编号：
IRFH5053TRPBFCT-ND
别名：IRFH5053TRPBFCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD19537Q3T
仓库库存编号：
296-42632-1-ND
别名：296-42632-1
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 104A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD25404Q3T
仓库库存编号：
296-43210-1-ND
别名：296-43210-1
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL40N75LF3
仓库库存编号：
497-13535-1-ND
别名：497-13535-1
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），292A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
型号：
FDMT80060DC
仓库库存编号：
FDMT80060DCCT-ND
别名：FDMT80060DCCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E070BNTB
仓库库存编号：
RQ3E070BNTBCT-ND
别名：RQ3E070BNTBCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta），16W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120GNTB
仓库库存编号：
RQ3E120GNTBCT-ND
别名：RQ3E120GNTBCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3G100GNTB
仓库库存编号：
RQ3G100GNTBCT-ND
别名：RQ3G100GNTBCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 1.6W（Ta），21W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH11003NL,LQ
仓库库存编号：
TPH11003NLLQCT-ND
别名：TPH11003NLLQCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 1.6W（Ta），24W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH8R903NL,LQ
仓库库存编号：
TPH8R903NLLQCT-ND
别名：TPH8R903NLLQCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN13008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPN13008NHL1QCT-ND
别名：TPN13008NHL1QCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta），36W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号：
TPH4R003NLL1QCT-ND
别名：TPH4R003NLL1QCT
规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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