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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH14006NHL1QCT-ND
  别名：TPH14006NHL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 1.6W（Ta），44W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R203NL,L1Q
  仓库库存编号：TPH3R203NLL1QCT-ND
  别名：TPH3R203NL,L1QCT
  TPH3R203NL,L1QCT-ND
  TPH3R203NLL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS40DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS40DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS40DN-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N04S408ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N04S408ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N04S408ATMA1CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R80ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPH8R80ANHL1QCT-ND
  别名：TPH8R80ANHL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E150BNTB
  仓库库存编号：RQ3E150BNTBCT-ND
  别名：RQ3E150BNTBCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN8R903NL,LQ
  仓库库存编号：TPN8R903NLLQCT-ND
  别名：TPN8R903NLLQCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPN7R506NHL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R203NC,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R203NCL1QCT-ND
  别名：TPN4R203NCL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E130MNTB1
  仓库库存编号：RQ3E130MNTB1CT-ND
  别名：RQ3E130MNTB1CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E100MNTB1
  仓库库存编号：RQ3E100MNTB1CT-ND
  别名：RQ3E100MNTB1CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R703NL,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R703NLL1QCT-ND
  别名：TPN2R703NL,L1QCT
  TPN2R703NL,L1QCT-ND
  TPN2R703NLL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH7932TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7932TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7932TRPBFCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5R906NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5R906NHL1QCT-ND
  别名：TPH5R906NHL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 1.6W（Ta），63W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH4R606NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH4R606NHL1QCT-ND
  别名：TPH4R606NHL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N65M2
  仓库库存编号：497-16939-1-ND
  别名：497-16939-1
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  FET RF 25V 870MHZ
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 150mA 870MHz 15dB 2W PowerFLAT? (5x5)
  
  型号：PD84006L-E
  仓库库存编号：497-8288-1-ND
  别名：497-8288
  497-8288-1
  497-8288-ND
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 92A TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 92A（Tc） 960mW（Ta）, 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R704PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH3R704PLL1QCT-ND
  别名：TPH3R704PLL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 48A（Tc） 69W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R204PL,LQ
  仓库库存编号：TPH7R204PLLQCT-ND
  别名：TPH7R204PLLQCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS10DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS10DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS10DN-T1-GE3CT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 40V 30A POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 39A（Tc） 20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3G150GNTB
  仓库库存编号：RQ3G150GNTBCT-ND
  别名：RQ3G150GNTBCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 90W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R003PL,LQ
  仓库库存编号：TPH3R003PLLQCT-ND
  别名：TPH3R003PLLQCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R006PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH7R006PLL1QCT-ND
  别名：TPH7R006PLL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1R603PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN1R603PLL1QCT-ND
  别名：TPN1R603PLL1QCT
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Tc） 2.9W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL9P2UH7
  仓库库存编号：497-15147-1-ND
  别名：497-15147-1
  
  规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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