规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述：IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号：
APT75GP120B2G
仓库库存编号：
APT75GP120B2G-ND
别名：APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
IGBT 3600V 70A TO-247HV
详细描述：IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
型号：
IXBH20N360HV
仓库库存编号：
IXBH20N360HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述：IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号：
APT65GP60B2G
仓库库存编号：
APT65GP60B2G-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述：IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号：
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号：
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名：APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT94N65B2C6
仓库库存编号：
APT94N65B2C6-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT106N60B2C6
仓库库存编号：
APT106N60B2C6-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
型号：
APT56M50B2
仓库库存编号：
APT56M50B2-ND
别名：APT56M50B2MI
APT56M50B2MI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
THYRISTOR MOS 1500V 40A TO247+HV
详细描述：SCR 1500V Standard Recovery Through Hole TO-247HV
型号：
IXHX40N150V1HV
仓库库存编号：
IXHX40N150V1HV-ND
别名：631203
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT29F100B2
仓库库存编号：
APT29F100B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
THYRISTOR MOS 1500V 40A TO-247HV
详细描述：SCR 1500V Standard Recovery Through Hole TO-247HV
型号：
IXHH40N150HV
仓库库存编号：
IXHH40N150HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
型号：
APT100GN120B2G
仓库库存编号：
APT100GN120B2G-ND
别名：APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TMAX
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
型号：
APT100GN60B2G
仓库库存编号：
APT100GN60B2G-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 417W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT34N80B2C3G
仓库库存编号：
APT34N80B2C3G-ND
别名：APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TMAX
详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
型号：
APT40GP60B2DQ2G
仓库库存编号：
APT40GP60B2DQ2G-ND
别名：APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT5010B2FLLG
仓库库存编号：
APT5010B2FLLG-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT24M120B2
仓库库存编号：
APT24M120B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
详细描述：IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
型号：
APT35GP120B2DQ2G
仓库库存编号：
APT35GP120B2DQ2G-ND
别名：APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT66F60B2
仓库库存编号：
APT66F60B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT37M100B2
仓库库存编号：
APT37M100B2-ND
别名：APT37M100B2MI
APT37M100B2MI-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43M60B2
仓库库存编号：
APT43M60B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT43F60B2
仓库库存编号：
APT43F60B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH04N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH04N300P3HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH02N450HV
仓库库存编号：
IXTH02N450HV-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT22F120B2
仓库库存编号：
APT22F120B2-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT8024B2LLG
仓库库存编号：
APT8024B2LLG-ND
规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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