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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K15ACT(TPL3)
  仓库库存编号：SSM3K15ACT(TPL3)CT-ND
  别名：SSM3K15ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Panasonic Electronic Components
  DIODE VARIABLE CAP 10V 1006
  详细描述：Varactor Single 10V Surface Mount ML3-N2
  
  型号：MA26V0500A
  仓库库存编号：MA26V0500ACT-ND
  别名：MA26V0500ACT
  MACT26V0500ACT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
• 无铅
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883
  
  型号：CEDM7001 TR
  仓库库存编号：CEDM7001 CT-ND
  别名：CEDM7001 CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
• 无铅
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883
  
  型号：CEDM8001 TR
  仓库库存编号：CEDM8001 CT-ND
  别名：CEDM8001 CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.78A（Ta） 100mW（Ta） SOT-883
  
  型号：CEDM7004 TR
  仓库库存编号：CEDM7004 CT-ND
  别名：CEDM7004 CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PNP 20V 0.03A ML3-N2
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 30mA 300MHz 100mW Surface Mount ML3-N2
  
  型号：2SA216300A
  仓库库存编号：2SA216300ACT-ND
  别名：2SA216300ACT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PNP 40V 0.2A SOT883
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 590mW Surface Mount DFN1006-3
  
  型号：PMBT3906M,315
  仓库库存编号：1727-2157-1-ND
  别名：1727-2157-1
  568-11954-1
  568-11954-1-ND
  568-12318-1-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Infineon Technologies
  TVS DIODE 5.3VWM 15VC TSLP3-7
  
  型号：ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1
  仓库库存编号：ESD5V3U2U03LRHE6327XTMA1CT-ND
  别名：ESD5V3U2U-03LRHE6327INCT
  ESD5V3U2U-03LRHE6327INCT-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Infineon Technologies
  TRANS RF NPN 5.8V 50MA 3TSLP
  详细描述：RF Transistor NPN 5.8V 50mA 22GHz 200mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BFR 460L3 E6327
  仓库库存编号：BFR 460L3 E6327CT-ND
  别名：BFR 460L3 E6327CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ370UNEYL
  仓库库存编号：1727-2321-1-ND
  别名：1727-2321-1
  568-12607-1
  568-12607-1-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Nexperia USA Inc.
  TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3
  
  型号：PESD5V0V2BMYL
  仓库库存编号：1727-2678-1-ND
  别名：1727-2678-1
  568-13196-1
  568-13196-1-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Infineon Technologies
  TRANSISTOR RF NPN 12V TSLP-3
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BFR 193L3 E6327
  仓库库存编号：BFR 193L3 E6327CT-ND
  别名：BFR 193L3 E6327CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Infineon Technologies
  TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3
  详细描述：RF Transistor NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BFR 360L3 E6765
  仓库库存编号：BFR 360L3 E6765CT-ND
  别名：BFR 360L3 E6765CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Nexperia USA Inc.
  TVS DIODE 3.3VWM SOT883
  
  型号：PESD3V3L2UM,315
  仓库库存编号：1727-5788-1-ND
  别名：1727-5788-1
  568-7337-1
  568-7337-1-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 50V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 230mA（Ta） 340mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：BSS84AKM,315
  仓库库存编号：1727-1263-1-ND
  别名：1727-1263-1
  568-10471-1
  568-10471-1-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Infineon Technologies
  TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3
  详细描述：RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount TSLP-3-9
  
  型号：BFR840L3RHESDE6327XTSA1
  仓库库存编号：BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT-ND
  别名：BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 480mA（Ta） 350mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1000UN,315
  仓库库存编号：1727-5860-1-ND
  别名：1727-5860-1
  568-7439-1
  568-7439-1-ND
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Infineon Technologies
  TRANS RF BIPO NPN 30MA TSLP-3-9
  详细描述：RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-TSLP-3
  
  型号：BFR 740L3RH E6327
  仓库库存编号：BFR740L3RHE6327INCT-ND
  别名：BFR740L3RHE6327INCT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2103ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2103ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2103ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2105ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2105ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2105ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2106ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2106ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2106ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2110ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2110ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2110ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2111ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2111ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2111ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2112ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2112ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2112ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN2113ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN2113ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN2113ACT(TPL3)CT
  
  规格：封装/外壳 SC-101，SOT-883,
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