规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 2A 50V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA1680,T6SCMDF(J
仓库库存编号:
2SA1680T6SCMDF(J-ND
别名:2SA1680T6SCMDF(J
2SA1680T6SCMDFJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 3A 50V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA1761,F(J
仓库库存编号:
2SA1761F(J-ND
别名:2SA1761F(J
2SA1761FJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 3A 50V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA1761,T6F(J
仓库库存编号:
2SA1761T6F(J-ND
别名:2SA1761T6F(J
2SA1761T6FJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 3A 50V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA1761,T6F(M
仓库库存编号:
2SA1761T6F(M-ND
别名:2SA1761T6F(M
2SA1761T6FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 500MA 400V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 35MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA1972,F(J
仓库库存编号:
2SA1972F(J-ND
别名:2SA1972F(J
2SA1972FJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 500MA 400V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 35MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA1972,T6WNLF(J
仓库库存编号:
2SA1972T6WNLF(J-ND
别名:2SA1972T6WNLF(J
2SA1972T6WNLFJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-O(TE6,F,M)
仓库库存编号:
2SA949-O(TE6FM)-ND
别名:2SA949-O(TE6FM)
2SA949OTE6FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y(JVC1,F,M)
仓库库存编号:
2SA949-Y(JVC1FM)-ND
别名:2SA949-Y(JVC1FM)
2SA949YJVC1FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y(T6JVC1,FM
仓库库存编号:
2SA949-Y(T6JVC1FM-ND
别名:2SA949-Y(T6JVC1FM
2SA949YT6JVC1FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y(T6ONK1,FM
仓库库存编号:
2SA949-Y(T6ONK1FM-ND
别名:2SA949-Y(T6ONK1FM
2SA949YT6ONK1FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y(T6SHRP,FM
仓库库存编号:
2SA949-Y(T6SHRPFM-ND
别名:2SA949-Y(T6SHRPFM
2SA949YT6SHRPFM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y(TE6,F,M)
仓库库存编号:
2SA949-Y(TE6FM)-ND
别名:2SA949-Y(TE6FM)
2SA949YTE6FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y,F(J
仓库库存编号:
2SA949-YF(J-ND
别名:2SA949-YF(J
2SA949YFJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y,ONK-1F(J
仓库库存编号:
2SA949-YONK-1F(J-ND
别名:2SA949-YONK-1F(J
2SA949YONK1FJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SA949-Y,ONK-1F(M
仓库库存编号:
2SA949-YONK-1F(M-ND
别名:2SA949-YONK-1F(M
2SA949YONK1FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-O(TE6,F,M)
仓库库存编号:
2SA965-O(TE6FM)-ND
别名:2SA965-O(TE6FM)
2SA965OTE6FM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-O,F(J
仓库库存编号:
2SA965-OF(J-ND
别名:2SA965-OF(J
2SA965OFJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y(F,M)
仓库库存编号:
2SA965-Y(FM)-ND
别名:2SA965-Y(FM)
2SA965YFM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y(T6CANO,FM
仓库库存编号:
2SA965-Y(T6CANOFM-ND
别名:2SA965-Y(T6CANOFM
2SA965YT6CANOFM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,F(J
仓库库存编号:
2SA965-YF(J-ND
别名:2SA965-YF(J
2SA965YFJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,SWFF(M
仓库库存编号:
2SA965-YSWFF(M-ND
别名:2SA965-YSWFF(M
2SA965YSWFFM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,T6F(J
仓库库存编号:
2SA965-YT6F(J-ND
别名:2SA965-YT6F(J
2SA965YT6FJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
型号:
2SA965-Y,T6KOJPF(J
仓库库存编号:
2SA965-YT6KOJPF(J-ND
别名:2SA965-YT6KOJPF(J
2SA965YT6KOJPFJ
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 2A 100V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SB1457(T6CANO,F,M
仓库库存编号:
2SB1457(T6CANOFM-ND
别名:2SB1457(T6CANOFM
2SB1457T6CANOFM
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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TRANS PNP 2A 100V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SB1457(T6CNO,A,F)
仓库库存编号:
2SB1457(T6CNOAF)-ND
别名:2SB1457(T6CNOAF)
2SB1457T6CNOAF
规格:封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 长体,
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