规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(33)
分立半导体产品
(33)
筛选品牌
Infineon Technologies (31)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 176W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R180P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R180P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R180P6AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.9A(Tc) 126W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R255P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R255P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R255P6AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Tc) 96W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R299CP
仓库库存编号:
IPL60R299CPCT-ND
别名:IPL60R299CPCT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 208W(Tc) Power88
型号:
FCMT199N60
仓库库存编号:
FCMT199N60CT-ND
别名:FCMT199N60CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 125W(Tc) Power88
型号:
FCMT299N60
仓库库存编号:
FCMT299N60CT-ND
别名:FCMT299N60CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R210P6AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 81W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R185P7AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 67W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R230C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R230C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R230C7AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Tc) 139W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R199CP
仓库库存编号:
IPL60R199CPCT-ND
别名:IPL60R199CPCT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 102W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R130C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R130C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R130C7AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 169W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R070C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R070C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R070C7AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R385CP
仓库库存编号:
IPL60R385CPCT-ND
别名:IPL60R385CPCT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 46W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R365P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R365P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R365P7AUMA1CT
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 63W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名:SP000895212
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.8A(Tc) 62.5W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名:SP000949266
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 83W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R420E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R420E6AUMA1-ND
别名:SP000895214
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.3A(Tc) 83.3W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R460CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R460CFDAUMA1-ND
别名:SP000949260
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.9A(Tc) 104.2W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R340CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R340CFDAUMA1-ND
别名:SP000949258
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13.1A(Tc) 104W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R310E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R310E6AUMA1-ND
别名:SP000895216
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 13A(Tc) 77W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名:SP001296238
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 16.6A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R210CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R210CFDAUMA1-ND
别名:SP000949256
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 75W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名:SP001032726
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名:SP001074938
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R165CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R165CFDAUMA1-ND
别名:SP000949254
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 17A(Tc) 103W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名:SP001385066
规格:封装/外壳 4-PowerTSFN,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号