规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC114YU-7-F
仓库库存编号：
DDC114YU-FDICT-ND
别名：DDC114YU-FDICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DCX123JU-7-F
仓库库存编号：
DCX123JU-FDICT-ND
别名：DCX123JU-FDICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini5-G3-B
型号：
DMC261010R
仓库库存编号：
DMC261010RCT-ND
别名：DMC261010RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
型号：
DMG204010R
仓库库存编号：
DMG204010RCT-ND
别名：DMG204010RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
型号：
DMC564040R
仓库库存编号：
DMC564040RCT-ND
别名：DMC564040RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
型号：
DMG264120R
仓库库存编号：
DMG264120RCT-ND
别名：DMG264120RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 1A 215MHz 1.1W Surface Mount SOT-26
型号：
ZXTD09N50DE6TA
仓库库存编号：
ZXTD09N50DE6CT-ND
别名：ZXTD09N50DE6CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 18-SOIC
型号：
ULN2803ADWR
仓库库存编号：
296-15777-1-ND
别名：296-15777-1
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 18-SOIC
型号：
ULN2803ADWRG4
仓库库存编号：
296-35964-1-ND
别名：296-35964-1
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2803A
仓库库存编号：
497-2356-5-ND
别名：497-2356-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2804A
仓库库存编号：
497-2357-5-ND
别名：497-2357-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
型号：
ULN2064B
仓库库存编号：
497-2348-5-ND
别名：497-2348-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
型号：
ULN2068B
仓库库存编号：
497-2351-5-ND
别名：497-2351-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Sanken
TRANS 4PNP DARL 50V 4A 10-SIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP Darlington (Quad) 50V 4A 4W Through Hole 10-SIP
型号：
STA402A
仓库库存编号：
STA402A-ND
别名：STA402A DK
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
不受无铅要求限制
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M/A-Com Technology Solutions
TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
详细描述：RF Transistor NPN 50V 16A 250W Chassis Mount 211-11, Style 2
型号：
MRF448
仓库库存编号：
1465-1189-ND
别名：1465-1189
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5216DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5216DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5216DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5335DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5335DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5335DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5211DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5211DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5211DW1T1GOS
MUN5211DW1T1GOS-ND
MUN5211DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5214DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5214DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5214DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5235DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5235DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5235DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DCX114YU-7-F
仓库库存编号：
DCX114YU-FDICT-ND
别名：DCX114YU-FDICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMD13,115
仓库库存编号：
1727-4329-1-ND
别名：1727-4329-1
568-5038-1
568-5038-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMD2,115
仓库库存编号：
1727-5233-1-ND
别名：1727-5233-1
568-6550-1
568-6550-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMD3,115
仓库库存编号：
1727-4330-1-ND
别名：1727-4330-1
568-5039-1
568-5039-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMD12,115
仓库库存编号：
1727-5232-1-ND
别名：1727-5232-1
568-6549-1
568-6549-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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