规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1911FETE85LF
仓库库存编号：
RN1911FETE85LFCT-ND
别名：RN1911FETE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2911,LF
仓库库存编号：
RN2911LFCT-ND
别名：RN2911LF(CTCT
RN2911LF(CTCT-ND
RN2911LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2903,LF
仓库库存编号：
RN2903LFCT-ND
别名：RN2903LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2904,LF
仓库库存编号：
RN2904LFCT-ND
别名：RN2904LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4904,LF
仓库库存编号：
RN4904LFCT-ND
别名：RN4904LF(CTCT
RN4904LF(CTCT-ND
RN4904LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2601(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2601(TE85LF)CT-ND
别名：RN2601(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1510(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1510(TE85LF)CT-ND
别名：RN1510(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN2A01FU-Y(TE85L,F
仓库库存编号：
HN2A01FU-Y(TE85LFCT-ND
别名：HN2A01FU-Y(TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN2C01FU-GR(T5L,F)
仓库库存编号：
HN2C01FU-GR(T5LF)CT-ND
别名：HN2C01FU-GR(T5LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1905,LF
仓库库存编号：
RN1905LFCT-ND
别名：RN1905LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1906,LF
仓库库存编号：
RN1906LFCT-ND
别名：RN1906LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1907,LF
仓库库存编号：
RN1907LFCT-ND
别名：RN1907LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4902,LF
仓库库存编号：
RN4902LFCT-ND
别名：RN4902LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4981,LF(CT
仓库库存编号：
RN4981LF(CTCT-ND
别名：RN4981(T5LFT)CT
RN4981(T5LFT)CT-ND
RN4981LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4906FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4906FELF(CBCT-ND
别名：RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FE(TE85LF)CT-ND
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC114TU-7
仓库库存编号：
DDC114TUDICT-ND
别名：DDC114TUDICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDC114TU-7
仓库库存编号：
981-DDC114TU-7-CHP
别名：DDC114TU7
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA143TU-7
仓库库存编号：
DDA143TUDICT-ND
别名：DDA143TUDICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA143TU-7
仓库库存编号：
981-DDA143TU-7-CHP
别名：DDA143TU7
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA114EU-7
仓库库存编号：
DDA114EUDICT-ND
别名：DDA114EUDICT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
DDA114EU-7
仓库库存编号：
981-DDA114EU-7-CHP
别名：DDA114EU7
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount USV
型号：
2SA1873-GR(TE85L,F
仓库库存编号：
2SA1873-GR(TE85LFCT-ND
别名：2SA1873-GR(TE85LF)CT
2SA1873-GR(TE85LF)CT-ND
2SA1873-GR(TE85LFCT
2SA1873-GRTE85LCT
2SA1873-GRTE85LCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 60MHz 200mW Surface Mount USV
型号：
HN4A56JU(TE85L,F)
仓库库存编号：
HN4A56JU(TE85LF)CT-ND
别名：HN4A56JU(TE85LF)CT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
HN1C01FYTE85LF
仓库库存编号：
HN1C01FYTE85LFCT-ND
别名：HN1C01FYTE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1605TE85LF
仓库库存编号：
RN1605TE85LFCT-ND
别名：RN1605TE85LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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