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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：HN1A01FU-Y,LF
  仓库库存编号：HN1A01FU-YLFCT-ND
  别名：HN1A01FU-Y(T5LFT)CT
  HN1A01FU-Y(T5LFT)CT-ND
  HN1A01FU-YLFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4906,LF
  仓库库存编号：RN4906LFCT-ND
  别名：RN4906LF(CTCT
  RN4906LF(CTCT-ND
  RN4906LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1907,LF(CT
  仓库库存编号：RN1907LF(CTCT-ND
  别名：RN1907(T5LFT)CT
  RN1907(T5LFT)CT-ND
  RN1907LF(CTCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
  
  型号：RN1501(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1501(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1501(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 80mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSSMini6-F1
  
  型号：NP043A200A
  仓库库存编号：NP043A200ACT-ND
  别名：NP043A200ACT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 80mA 150MHz 125mW Surface Mount SSSMini6-F1
  
  型号：NP062AN00A
  仓库库存编号：NP062AN00ACT-ND
  别名：NP062ACTN00ACT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DCX143TU-7-F
  仓库库存编号：DCX143TU-FDICT-ND
  别名：DCX143TU-FDICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• ON Semiconductor
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：NSBA144EDP6T5G
  仓库库存编号：NSBA144EDP6T5GOSCT-ND
  别名：NSBA144EDP6T5GOSCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• ON Semiconductor
  TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NSVMUN531335DW1T1G
  仓库库存编号：NSVMUN531335DW1T1GOSCT-ND
  别名：NSVMUN531335DW1T1GOSCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4905T5LFT
  仓库库存编号：RN4905T5LFTCT-ND
  别名：RN4905T5LFTCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4984(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4984(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4984(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA, 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DCX100NS-7
  仓库库存编号：DCX100NSDICT-ND
  别名：DCX100NS7
  DCX100NSDICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：DDA123JU-7-F
  仓库库存编号：DDA123JU-FDICT-ND
  别名：DDA123JU-FDICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount Mini5-G3-B
  
  型号：DME201010R
  仓库库存编号：DME201010RCT-ND
  别名：DME201010RCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  
  型号：IMB2AT110
  仓库库存编号：IMB2AT110CT-ND
  别名：IMB2AT110CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
  
  型号：DMC205010R
  仓库库存编号：DMC205010RCT-ND
  别名：DMC205010RCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT963
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 100mA 80MHz 300mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：DP0150ADJ-7
  仓库库存编号：DP0150ADJ-7DICT-ND
  别名：DP0150ADJ-7DICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 60MHz 300mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：DN0150BDJ-7
  仓库库存编号：DN0150BDJ-7DICT-ND
  别名：DN0150BDJ-7DICT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  
  型号：EMD22T2R
  仓库库存编号：EMD22T2RCT-ND
  别名：EMD22T2RCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1964FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1964FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1964FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1966FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1966FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1966FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1962FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1962FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1962FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：HN2C01FEYTE85LF
  仓库库存编号：HN2C01FEYTE85LFCT-ND
  别名：HN2C01FEYTE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1965FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1965FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1965FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Panasonic Electronic Components
  TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz, 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  
  型号：XP0560100L
  仓库库存编号：XP0560100LCT-ND
  别名：XP0560100LCT
  XP5601CT
  XP5601CT-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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