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• Nexperia USA Inc.
  TRANS NPN/PNP RET 6DFN
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz, 180MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
  
  型号：PQMD2Z
  仓库库存编号：1727-2712-1-ND
  别名：1727-2712-1
  568-13233-1
  568-13233-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS NPN/NPN RET 6DFN
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
  
  型号：PQMH11Z
  仓库库存编号：1727-2715-1-ND
  别名：1727-2715-1
  568-13236-1
  568-13236-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PUMB2,115
  仓库库存编号：1727-5231-1-ND
  别名：1727-5231-1
  568-6548-1
  568-6548-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PUMB11,115
  仓库库存编号：1727-5230-1-ND
  别名：1727-5230-1
  568-6547-1
  568-6547-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PUMB13,115
  仓库库存编号：1727-1734-1-ND
  别名：1727-1734-1
  568-11277-1
  568-11277-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PUMB13,115
  仓库库存编号：1727-1734-6-ND
  别名：1727-1734-6
  568-11277-6
  568-11277-6-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNH6327XTSA1
  仓库库存编号：BCR10PNH6327XTSA1CT-ND
  别名：BCR 10PN H6327CT
  BCR 10PN H6327CT-ND
  BCR10PNH6327XTSA1CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH13,115
  仓库库存编号：1727-1725-1-ND
  别名：1727-1725-1
  568-11267-1
  568-11267-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH13,115
  仓库库存编号：1727-1725-6-ND
  别名：1727-1725-6
  568-11267-6
  568-11267-6-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH10,115
  仓库库存编号：1727-1723-1-ND
  别名：1727-1723-1
  568-11265-1
  568-11265-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMH10,115
  仓库库存编号：1727-1723-6-ND
  别名：1727-1723-6
  568-11265-6
  568-11265-6-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PEMD12,115
  仓库库存编号：1727-2155-1-ND
  别名：1727-2155-1
  568-11970-1
  568-11970-1-ND
  568-12316-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS 2PNP 50V 2.7A 8SO
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：PBSS5350SS,115
  仓库库存编号：1727-5772-1-ND
  别名：1727-5772-1
  568-7320-1
  568-7320-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 2.7A 750mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：PBSS4350SPN,115
  仓库库存编号：1727-5754-1-ND
  别名：1727-5754-1
  568-7301-1
  568-7301-1-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• STMicroelectronics
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
  
  型号：ULN2802A
  仓库库存编号：497-2355-5-ND
  别名：497-2355-5
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• STMicroelectronics
  TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
  
  型号：ULN2074B
  仓库库存编号：497-2353-5-ND
  别名：497-2353-5
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 4NPN 50V 1A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 1A 200MHz 1W Through Hole TO-116
  
  型号：MPQ3725A
  仓库库存编号：MPQ3725A-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 4NPN 50V 0.8A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
  
  型号：2N6990
  仓库库存编号：2N6990-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1W Through Hole 18-DIP
  
  型号：ULQ2804A
  仓库库存编号：497-7692-5-ND
  别名：497-7692-5
  ULQ2804A-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• STMicroelectronics
  TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
  
  型号：ULN2066B
  仓库库存编号：497-6788-5-ND
  别名：497-6788-5
  ULN2066B-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4988(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4988(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4988(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4990(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4990(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4990(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4991(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN4991(T5LFT)CT-ND
  别名：RN4991(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1908FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1908FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1908FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2903FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2903FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2903FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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