规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1628)
分立半导体产品
(1628)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp (9)
Diodes Incorporated (154)
Infineon Technologies (64)
M/A-Com Technology Solutions (1)
Micro Commercial Co (4)
Microsemi Corporation (15)
Nexperia USA Inc. (176)
NXP USA Inc. (1)
ON Semiconductor (307)
Panasonic Electronic Components (406)
Rohm Semiconductor (203)
Sanken (3)
STMicroelectronics (26)
Texas Instruments (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (253)
TT Electronics/Optek Technology (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Sanken
TRANS 3PNP 50V 3A 8STA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 3 PNP 50V 3A 3W, 15W Through Hole 8-SIP
型号：
STA322A
仓库库存编号：
STA322A-ND
别名：STA322A DK
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
不受无铅要求限制
搜索
TT Electronics/Optek Technology
TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1W Surface Mount 20-CLCC
型号：
2N6989U
仓库库存编号：
2N6989U-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
JAN2N6989
仓库库存编号：
1086-2366-ND
别名：1086-2366
1086-2366-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号：
JAN2N6990
仓库库存编号：
1086-2367-ND
别名：1086-2367
1086-2367-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1W Surface Mount 20-CLCC
型号：
2N6989UTX
仓库库存编号：
2N6989UTX-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
JANTX2N6989
仓库库存编号：
1086-2720-ND
别名：1086-2720
1086-2720-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
型号：
JANTXV2N6989
仓库库存编号：
1086-3097-ND
别名：1086-3097
1086-3097-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号：
JANTXV2N6990
仓库库存编号：
1086-3098-ND
别名：1086-3098
1086-3098-MIL
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR141SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR141SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 141S H6327
BCR 141S H6327-ND
BCR141SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756256
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 08PN H6327
BCR 08PN H6327-ND
SP000750766
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR08PNH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 08PN H6433
BCR 08PN H6433-ND
SP000750770
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR08PNH6727XTSA1
仓库库存编号：
BCR08PNH6727XTSA1TR-ND
别名：BCR 08PN H6727
BCR 08PN H6727-ND
SP000750772
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR108SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR108SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 108S H6327
BCR 108S H6327-ND
SP000750774
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR116SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR116SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 116S H6327
BCR 116S H6327-ND
BCR116SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000752050
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR119SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR119SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 119S H6327
BCR 119S H6327-ND
BCR119SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754074
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR119SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR119SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 119S H6433
BCR 119S H6433-ND
BCR119SH6433XTMA1TR-NDTR-ND
SP000755042
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR129SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR129SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 129S H6327
BCR 129S H6327-ND
BCR129SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000755046
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR148SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 148S H6327
BCR 148S H6327-ND
BCR148SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756262
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR148SH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR148SH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 148S H6433
BCR 148S H6433-ND
BCR148SH6433XTMA1TR-NDTR-ND
SP000756264
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR169SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR169SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 169S H6327
BCR 169S H6327-ND
BCR169SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756842
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR183SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR183SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 183S H6327
BCR 183S H6327-ND
BCR183SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756882
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR198SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR198SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 198S H6327
BCR 198S H6327-ND
SP000757904
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR48PNH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 48PN H6327
BCR 48PN H6327-ND
SP000757930
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 70mA, 100mA 100MHz, 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR48PNH6433XTMA1
仓库库存编号：
BCR48PNH6433XTMA1TR-ND
别名：BCR 48PN H6433
BCR 48PN H6433-ND
SP000757932
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BCR523UE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR523UE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 523U E6433
BCR 523U E6433-ND
SP000662374
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
