规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC143TPDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC143TPDXV6OSCT-ND
别名：NSBC143TPDXV6OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC144EPDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC144EPDXV6OSCT-ND
别名：NSBC144EPDXV6OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
型号：
EMA6DXV5T1
仓库库存编号：
EMA6DXV5T1OSCT-ND
别名：EMA6DXV5T1OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553
型号：
EMC2DXV5T1
仓库库存编号：
EMC2DXV5T1OSCT-ND
别名：EMC2DXV5T1OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553
型号：
EMC5DXV5T1
仓库库存编号：
EMC5DXV5T1OSCT-ND
别名：EMC5DXV5T1OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBA123JDXV6T1
仓库库存编号：
NSBA123JDXV6TOSCT-ND
别名：NSBA123JDXV6TOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBA143TDXV6T1
仓库库存编号：
NSBA143TDXV6TOSCT-ND
别名：NSBA143TDXV6TOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC114EPDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC114EPDXV6OSCT-ND
别名：NSBC114EPDXV6OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC114YDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC114YDXV6TOSCT-ND
别名：NSBC114YDXV6TOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC114YPDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC114YPDXV6OSCT-ND
别名：NSBC114YPDXV6OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC124EDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC124EDXV6TOSCT-ND
别名：NSBC124EDXV6TOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC124EPDXV6T1
仓库库存编号：
NSBC124EPDXV6OSCT-ND
别名：NSBC124EPDXV6OSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
含铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F2
型号：
UP0111300L
仓库库存编号：
UP0111300LCT-ND
别名：UP0111300LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F2
型号：
UP0339400L
仓库库存编号：
UP0339400LCT-ND
别名：UP0339400LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F2
型号：
UP0339600L
仓库库存编号：
UP0339600LCT-ND
别名：UP0339600LCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.8A 1W Surface Mount 20-SO
型号：
L6221AD013TR
仓库库存编号：
497-4004-1-ND
别名：497-4004-1
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
E-ULN2001A
仓库库存编号：
497-4606-5-ND
别名：497-4606-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
E-ULN2004A
仓库库存编号：
497-4608-5-ND
别名：497-4608-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA
型号：
E-ULQ2003A
仓库库存编号：
497-4609-5-ND
别名：497-4609-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
E-ULQ2003D1
仓库库存编号：
497-4610-5-ND
别名：497-4610-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP
型号：
ULN2803APG,CN
仓库库存编号：
ULN2803APGCN-ND
别名：ULN2803APG
ULN2803APG(5,M)
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN)-ND
ULN2803APG(O,M)
ULN2803APG(O,N,HZA
ULN2803APG(O,N,HZN
ULN2803APG(OM)
ULN2803APG(OM)-ND
ULN2803APG(ONHZA
ULN2803APG(ONHZA-ND
ULN2803APG(ONHZN
ULN2803APG(ONHZN-ND
ULN2803APG-ND
ULN2803APGCN
ULN2803APGONHZN
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Texas Instruments
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-PDIP
型号：
ULN2803AN
仓库库存编号：
296-19046-5-ND
别名：296-19046-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
型号：
EMA6DXV5T1G
仓库库存编号：
EMA6DXV5T1GOSCT-ND
别名：EMA6DXV5T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT553
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553
型号：
EMC4DXV5T1G
仓库库存编号：
EMC4DXV5T1GOS-ND
别名：EMC4DXV5T1GOS
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
EMD5DXV6T1G
仓库库存编号：
EMD5DXV6T1GOS-ND
别名：EMD5DXV6T1GOS
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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