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• Rohm Semiconductor
  TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
  
  型号：IMT17T208
  仓库库存编号：IMT17T208-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：HN2A01FU-GR(TE85LF
  仓库库存编号：HN2A01FU-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN2A01FU-GR(TE85LF)CT
  HN2A01FU-GR(TE85LF)CT-ND
  HN2A01FU-GR(TE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1906(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1906(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1906(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1961FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1961FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1961FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 4NPN 50V 0.8A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
  
  型号：JANTX2N6990
  仓库库存编号：1086-2721-ND
  别名：1086-2721
  1086-2721-MIL
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
  
  型号：2N6989
  仓库库存编号：2N6989-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
• 含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1906FE(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1906FE(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1906FE(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1967FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1967FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1967FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1968FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1968FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1968FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1969FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1969FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1969FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1970FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1970FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1970FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1971FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1971FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1971FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：RN1673(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1673(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1673(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1911(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1911(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1911(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2902FE(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2902FE(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2902FE(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2904FE(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2904FE(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2904FE(T5LFT)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2961FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2961FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2961FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2962FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2962FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2962FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2963FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2963FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2963FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2964FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2964FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2964FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2965FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2965FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2965FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2966FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2966FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2966FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2967FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2967FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2967FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2968FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2968FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2968FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2969FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2969FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2969FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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