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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  
  型号：RN2706JE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2706JE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2706JE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN4902FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN4902FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN4902FE(TE85LF)CT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN1B01F-GR(TE85L,F
  仓库库存编号：HN1B01F-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN1B01F-GR(TE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
  
  型号：HN1A01F-GR(TE85L,F
  仓库库存编号：HN1A01F-GR(TE85LFCT-ND
  别名：HN1A01F-GR(TE85LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  
  型号：UMF24NTR
  仓库库存编号：UMF24NTR-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2902,LF
  仓库库存编号：RN2902LFCT-ND
  别名：RN2902LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN4901,LF
  仓库库存编号：RN4901LFCT-ND
  别名：RN4901LFCT
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1W Surface Mount 20-CLCC
  
  型号：JANTX2N6989U
  仓库库存编号：1086-16216-ND
  别名：1086-16216
  1086-16216-MIL
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：PUMD6/ZLF
  仓库库存编号：PUMD6/ZLF-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：PUMD6/ZLX
  仓库库存编号：PUMD6/ZLX-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 50MA 50V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 50mA 60MHz 600mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：2N2453A
  仓库库存编号：2N2453A-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 30MA 50V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 30mA 260MHz Through Hole TO-78-6
  
  型号：MD8002
  仓库库存编号：MD8002-ND
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR08PNB6327XT
  仓库库存编号：BCR08PNB6327XTTR-ND
  别名：BCR 08PN B6327
  BCR 08PN B6327-ND
  SP000010726
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR108SE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR108SE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 108S E6327
  BCR 108S E6327-ND
  BCR108SE6327XT
  SP000010743
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR108SE6433HTMA1
  仓库库存编号：BCR108SE6433HTMA1TR-ND
  别名：BCR 108S E6433
  BCR 108S E6433-ND
  BCR108SE6433XT
  SP000010740
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNB6327XT
  仓库库存编号：BCR10PNB6327XTTR-ND
  别名：BCR 10PN B6327
  BCR 10PN B6327-ND
  SP000010731
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR10PNE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR10PNE6327BTSA1TR-ND
  别名：BCR 10PN E6327
  BCR 10PN E6327-ND
  BCR10PNE6327XT
  SP000010732
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR116SE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR116SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 116S E6327
  BCR 116S E6327-ND
  BCR116SE6327XT
  SP000012266
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR119SE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR119SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 119S E6327
  BCR 119S E6327-ND
  BCR119SE6327XT
  SP000012331
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR119SE6433HTMA1
  仓库库存编号：BCR119SE6433HTMA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 119S E6433
  BCR 119S E6433-ND
  BCR119SE6433XT
  SP000012332
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR129SE6327HTSA1
  仓库库存编号：BCR129SE6327HTSA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 129S E6327
  BCR 129S E6327-ND
  BCR129SE6327XT
  SP000010755
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR133SB6327XT
  仓库库存编号：BCR133SB6327XTTR-NDTR-ND
  别名：BCR 133S B6327
  BCR 133S B6327-ND
  SP000056343
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR133SE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR133SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 133S E6327
  BCR 133S E6327-ND
  BCR133SE6327XT
  SP000010761
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR133SE6433BTMA1
  仓库库存编号：BCR133SE6433BTMA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 133S E6433
  BCR 133S E6433-ND
  BCR133SE6433XT
  SP000010763
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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• Infineon Technologies
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：BCR135SE6327BTSA1
  仓库库存编号：BCR135SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
  别名：BCR 135S E6327
  BCR 135S E6327-ND
  BCR135SE6327XT
  SP000012335
  
  规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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