规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
型号：
DMA9640T0R
仓库库存编号：
DMA9640T0RCT-ND
别名：DMA9640T0RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 500mA 160MHz, 130MHz 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
型号：
DMG204020R
仓库库存编号：
DMG204020RCT-ND
别名：DMG204020RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO
型号：
ULQ2004D1013TR
仓库库存编号：
497-2361-1-ND
别名：497-2361-1
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 4A 165MHz 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号：
ZXTD619MCTA
仓库库存编号：
ZXTD619MCTACT-ND
别名：ZXTD619MCTACT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
型号：
ULQ2004A
仓库库存编号：
497-2360-5-ND
别名：497-2360-5
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4990FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4990FELF(CBCT-ND
别名：RN4990FE(T5LFT)CT
RN4990FE(T5LFT)CT-ND
RN4990FELF(CBCT
RN4990FELF(CTCT
RN4990FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN49A2,LF(CT
仓库库存编号：
RN49A2LF(CTCT-ND
别名：RN49A2LF(CTCT
RN49A2T5LFTCT
RN49A2T5LFTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4907FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4907FELF(CBCT-ND
别名：RN4907FE(T5LFT)CT
RN4907FE(T5LFT)CT-ND
RN4907FELF(CBCT
RN4907FELF(CTCT
RN4907FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5111DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5111DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5111DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2904FE,LF
仓库库存编号：
RN2904FELFCT-ND
别名：RN2904FELF(CTCT
RN2904FELF(CTCT-ND
RN2904FELFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2907FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN2907FELF(CBCT-ND
别名：RN2907FE(T5LFT)CT
RN2907FE(T5LFT)CT-ND
RN2907FELF(CBCT
RN2907FELF(CTCT
RN2907FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount ES6
型号：
RN2902FE,LF(CT
仓库库存编号：
RN2902FELF(CTCT-ND
别名：RN2902FELF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4902FE,LF(CT
仓库库存编号：
RN4902FELF(CTCT-ND
别名：RN4902FELF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4904FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4904FELF(CBCT-ND
别名：RN4904FE(T5LFT)CT
RN4904FE(T5LFT)CT-ND
RN4904FELF(CBCT
RN4904FELF(CTCT
RN4904FELF(CTCT-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
MUN5212DW1T1G
仓库库存编号：
MUN5212DW1T1GOSCT-ND
别名：MUN5212DW1T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4910,LF
仓库库存编号：
RN4910LFCT-ND
别名：RN4910LF(CTCT
RN4910LF(CTCT-ND
RN4910LFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2902,LF(CT
仓库库存编号：
RN2902LF(CTCT-ND
别名：RN2902LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1905,LF(CT
仓库库存编号：
RN1905LF(CTCT-ND
别名：RN1905LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1906,LF(CT
仓库库存编号：
RN1906LF(CTCT-ND
别名：RN1906LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2903,LF(CT
仓库库存编号：
RN2903LF(CTCT-ND
别名：RN2903(T5LFT)CT
RN2903(T5LFT)CT-ND
RN2903LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2904,LF(CT
仓库库存编号：
RN2904LF(CTCT-ND
别名：RN2904LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4901,LF(CT
仓库库存编号：
RN4901LF(CTCT-ND
别名：RN4901LF(CTCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN1B04FE-Y,LF
仓库库存编号：
HN1B04FE-YLFCT-ND
别名：HN1B04FE-Y(T5LFTCT
HN1B04FE-Y(T5LFTCT-ND
HN1B04FE-YLF(TCT
HN1B04FE-YLF(TCT-ND
HN1B04FE-YLFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMB3T2R
仓库库存编号：
EMB3T2RCT-ND
别名：EMB3T2RCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN1C01FE-GR,LF
仓库库存编号：
HN1C01FE-GRLFCT-ND
别名：HN1C01FE-GR(5LFTCT
HN1C01FE-GR(5LFTCT-ND
HN1C01FE-GRLFCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 50V,
无铅
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