规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(61)
分立半导体产品
(61)
筛选品牌
Diodes Incorporated (3)
Infineon Technologies (16)
M/A-Com Technology Solutions (13)
Microsemi Corporation (8)
Nexperia USA Inc. (10)
ON Semiconductor (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC-88
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 400mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88
型号：
BC856SF
仓库库存编号：
BC856SF-ND
别名：934055680135
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88 (SOT-363)
型号：
NSVT65010MW6T1G
仓库库存编号：
NSVT65010MW6T1GOSCT-ND
别名：NSVT65010MW6T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88 (SOT-363)
型号：
NSVT65011MW6T1G
仓库库存编号：
NSVT65011MW6T1GOSCT-ND
别名：NSVT65011MW6T1GOSCT
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 65V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88
型号：
BCM856BSH
仓库库存编号：
1727-1213-1-ND
别名：1727-1213-1
568-10399-1
568-10399-1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 50W 1A 55FW1
详细描述：RF Transistor NPN 65V 1A 1.025GHz ~ 1.15GHz 50W Chassis Mount 55FW
型号：
1015MP
仓库库存编号：
1015MP-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANSISTOR 20W 36V 3.10-3.50GHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 2.4A 20W
型号：
PH3135-20M
仓库库存编号：
1465-1205-ND
别名：1465-1205
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANSISTOR 30W 3.10-3.40GHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 3.6A 30W Chassis Mount
型号：
PH3134-30S
仓库库存编号：
1465-1201-ND
别名：1465-1201
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANS NPN 50W 960MHZ-1215MHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 5.3A 50W Chassis Mount
型号：
MAPRST0912-50
仓库库存编号：
1465-1134-ND
别名：1465-1134
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANS NPN 500W 1025MHZ-1150MHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 29A 500W Chassis Mount 355J-02, STYLE 1
型号：
MRF10502
仓库库存编号：
1465-1142-ND
别名：1465-1142
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANSISTOR BIPOLAR 3.10-3.40GHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 6.5A 55W Chassis Mount
型号：
PH3134-55L
仓库库存编号：
1465-1202-ND
别名：1465-1202
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRAN RF BIPO 400W 1000MHZ 55KT1
详细描述：RF Transistor NPN 65V 12A 890MHz ~ 1GHz 400W Chassis Mount 55KT
型号：
0910-150M
仓库库存编号：
0910-150M-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANSISTOR 65W 36V 3.10-3.50GHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 7.7A 65W
型号：
PH3135-65M
仓库库存编号：
1465-1207-ND
别名：1465-1207
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
TRANS NPN 350W 960MHZ-1215MHZ
详细描述：RF Transistor NPN 65V 32.5A 1.215GHz 350W Chassis Mount
型号：
MAPRST0912-350
仓库库存编号：
1465-1133-ND
别名：1465-1133
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 2500 50A 55ST1
详细描述：RF Transistor NPN 65V 50A 1.025GHz ~ 1.15GHz 2500W Chassis Mount 55ST-1
型号：
DME800
仓库库存编号：
DME800-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 1450W 40A 55ST1
详细描述：RF Transistor NPN 65V 40A 960MHz ~ 1.215GHz 1450W Chassis Mount 55ST
型号：
TAN350
仓库库存编号：
TAN350-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
M/A-Com Technology Solutions
170W 2.7-3.1 GHZ 100US/10%
详细描述：RF Transistor NPN 65V 27A 170W Chassis Mount
型号：
MAPR-002729-170M00
仓库库存编号：
1465-1131-ND
别名：1465-1131
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 65V 80A 55SW1
详细描述：RF Transistor NPN 65V 80A 1.03GHz 3400W Chassis Mount 55SW
型号：
ITC1100
仓库库存编号：
ITC1100-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
详细描述：RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
型号：
MDS1100
仓库库存编号：
MDS1100-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BC856SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BC856SH6327XTSA1TR-ND
别名：BC 856S H6327
BC 856S H6327-ND
SP000747446
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC74-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BC856UE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC856UE6327HTSA1TR-ND
别名：BC 856U E6327
BC 856U E6327-ND
BC856UE6327XT
SP000012620
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC74-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BC846UE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC846UE6327HTSA1TR-ND
别名：BC 846U E6327
BC 846U E6327-ND
BC846UE6327BTSA1
BC846UE6327XT
SP000012619
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC74-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BC846UPNE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC846UPNE6327HTSA1TR-ND
别名：BC 846UPN E6327
BC 846UPN E6327-ND
BC846UPNE6327XT
SP000012621
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCM846SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCM846SH6327XTSA1TR-ND
别名：BCM 846S H6327
BCM 846S H6327-ND
SP000747590
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
BC856BDW1T1
仓库库存编号：
BC856BDW1T1-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS RF BIPO 1350W 40A M112
详细描述：RF Transistor NPN 65V 40A 1.025GHz ~ 1.15GHz 1350W Chassis Mount M112
型号：
MS2472
仓库库存编号：
MS2472-ND
规格：电压 - 集射极击穿（最大值） 65V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
